MOSFET N-kanałowy 130 A TO-263 150 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 333 W onsemi 7.5 mΩ
- Nr art. RS:
- 166-3402
- Nr części producenta:
- FDB075N15A
- Producent:
- onsemi
Suma częściowa (1 rolka po 800 sztuk/i)*
8 152,00 zł
(bez VAT)
10 024,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 01 marca 2027
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 800 + | 10,19 zł | 8 152,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 166-3402
- Nr części producenta:
- FDB075N15A
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ kanału | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 130A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 150V | |
| Seria | PowerTrench | |
| Typ obudowy | TO-263 | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 7.5mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 1.25V | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 77nC | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | -20V, +20V | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 333W | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 175°C | |
| Długość | 10.67mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Szerokość | 9.65mm | |
| Wysokość | 4.83mm | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ kanału N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 130A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 150V | ||
Seria PowerTrench | ||
Typ obudowy TO-263 | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 7.5mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Napięcie przewodzenia Vf 1.25V | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 77nC | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs -20V, +20V | ||
Maksymalna strata mocy Pd 333W | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 175°C | ||
Długość 10.67mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Szerokość 9.65mm | ||
Wysokość 4.83mm | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
- Kraj pochodzenia:
- CN
PowerTrench® N-Channel MOSFET, ponad 60A, Fairchild Semiconductor
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 130 A TO-263 150 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 333 W onsemi 7.5 mΩ FDB075N15A
- MOSFET N-kanałowy 120 A TO-263 100 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 333 W onsemi 3.5 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 120 A TO-263 100 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 333 W onsemi 3.5 mΩ FDB035N10A
- MOSFET N-kanałowy 70 A TO-263 650 V Rozszerzenie 7-pinowy Powierzchnia 263 W onsemi 23 mΩ NTBG023N065M3S
- MOSFET N-kanałowy 130 A TO-263 150 V Rozszerzenie 7-pinowy Powierzchnia 300 W Infineon 6.8 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 130 A TO-263 150 V Rozszerzenie 7-pinowy Powierzchnia 300 W Infineon 6.8 mΩ IPB065N15N3GATMA1
- MOSFET N-kanałowy 37 A TO-263 150 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 150 W onsemi 97 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 37 A TO-263 150 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 150 W onsemi 97 mΩ FDB2552