MOSFET N-kanałowy 25 A DPAK (TO-252) 250 V SMD Pojedynczy 136 W 60 miliomów

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 10 sztuk/i)*

95,67 zł

(bez VAT)

117,67 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • 8770 szt. dostępne od 12 grudnia 2025
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
10 - 109,567 zł95,67 zł
20 - 407,844 zł78,44 zł
50 - 907,367 zł73,67 zł
100 - 2406,89 zł68,90 zł
250 +6,314 zł63,14 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
171-1948
Nr części producenta:
IPD600N25N3GATMA1
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ kanału

N

Maksymalny ciągły prąd drenu

25 A

Maksymalne napięcie dren-źródło

250 V

Typ opakowania

DPAK (TO-252)

Series

OptiMOS™ 3

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło

60 miliomów

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Maksymalne napięcie progowe VGS

4V

Minimalne napięcie progowe VGS

2V

Maksymalna strata mocy

136 W

Konfiguracja tranzystora

Pojedynczy

Maksymalne napięcie bramka-źródło

20 V

Maksymalna temperatura robocza

+175°C

Długość

6.73mm

Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs

22 nC przy 10 V

Liczba elementów na układ

1

Szerokość

7.47mm

Minimalna temperatura robocza

-55°C

Napięcie przewodzenia diody

1.2V

Wysokość

2.41mm

Infineon IPD600N25N3 G to produkty OptiMOS 250V to wiodące w branży technologie wzorcowe, doskonale nadające się do synchronicznej prostowania w systemach 48 V, przetwornikach DC-DC, zasilaczach awaryjnych (UPS) i falownikach do napędów prądu stałego.

Branże najniższe R DS (wł.)
Najniższe wartości Q g i Q gd

.


Powiązane linki