MOSFET N-kanałowy 46.2 A PowerDI5060-8 40 V SMD 0.0123 O.
- Nr art. RS:
- 213-9246
- Nr części producenta:
- DMTH4008LPDW-13
- Producent:
- DiodesZetex
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 10 sztuk/i)*
26,10 zł
(bez VAT)
32,10 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 23 listopada 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 2,61 zł | 26,10 zł |
| 50 - 90 | 2,556 zł | 25,56 zł |
| 100 - 240 | 2,277 zł | 22,77 zł |
| 250 - 990 | 2,246 zł | 22,46 zł |
| 1000 + | 1,832 zł | 18,32 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 213-9246
- Nr części producenta:
- DMTH4008LPDW-13
- Producent:
- DiodesZetex
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | DiodesZetex | |
| Typ kanału | N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 46.2 A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V | |
| Seria | DMTH4008LPDW | |
| Typ opakowania | PowerDI5060-8 | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Liczba styków | 8 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 0.0123 O. | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.3V | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka DiodesZetex | ||
Typ kanału N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu 46.2 A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło 40 V | ||
Seria DMTH4008LPDW | ||
Typ opakowania PowerDI5060-8 | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Liczba styków 8 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło 0.0123 O. | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie progowe VGS 2.3V | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Seria DiodesZetex DMTH4008LPDW to dwukanałowy tranzystor MOSFET o rozdzielczości N, zaprojektowany w celu zminimalizowania oporu podczas pracy, zapewniający najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązaniem do zastosowań związanych z zarządzaniem energią o wysokiej wydajności.
Niska pojemność wejściowa
Wysoka szybkość przełączania
Wysoka szybkość przełączania
.
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 46.2 A PowerDI5060-8 40 V SMD 0.0123 O.
- MOSFET N-kanałowy 61 A PowerDI5060-8 150 V SMD 0.19 O.
- MOSFET N-kanałowy 215 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0.0016 O.
- MOSFET N-kanałowy 205 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0.0016 O.
- MOSFET N-kanałowy 95 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0.0073 O.
- MOSFET N-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 80 V SMD 0.4 O.
- MOSFET N-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 30 V SMD 0.0017 O.
- MOSFET N-kanałowy 91 A PowerDI5060-8 100 V SMD 0.8 O.
