MOSFET P-kanałowy 6,1 A SOT-23 30 V SMD

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 25 sztuk/i)*

33,80 zł

(bez VAT)

41,575 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 5200 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
25 - 251,352 zł33,80 zł
50 - 751,325 zł33,13 zł
100 - 2250,844 zł21,10 zł
250 - 9750,828 zł20,70 zł
1000 +0,606 zł15,15 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
256-7349
Nr części producenta:
SI2393DS-T1-GE3
Producent:
Vishay
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Vishay

Typ kanału

P

Maksymalny ciągły prąd drenu

6,1 A

Maksymalne napięcie dren-źródło

30 V

Typ opakowania

SOT-23

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Kanał P Vishay Semiconductor 30 V (D-S) mosfet 30 V 6,1 A (Ta), 7,5 A (Tc) 1,3 W (Ta), 2,5 W (Tc) do montażu powierzchniowego w obudowie typu SOT-23-3 (TO-236).

TrenchFET gen IV, kanał P, mosfet mocy
Przetestowane w 100% zgodnie z normą Rg i normą UIS
zastosowań
Przełącznik obciążenia
Zabezpieczenie obwodu
Sterowanie napędem silnika

.


Powiązane linki