MOSFET N-kanałowy 26 A TO-247 650 V Pojedynczy 190 W 125 miliomów
- Nr art. RS:
- 829-1504
- Nr części producenta:
- STW33N60M2
- Producent:
- STMicroelectronics
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 sztuka)*
21,29 zł
(bez VAT)
26,19 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 18 maja 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 - 9 | 21,29 zł |
| 10 - 99 | 18,14 zł |
| 100 - 499 | 14,36 zł |
| 500 + | 12,87 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 829-1504
- Nr części producenta:
- STW33N60M2
- Producent:
- STMicroelectronics
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | STMicroelectronics | |
| Typ kanału | N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 26 A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 650 V | |
| Typ opakowania | TO-247 | |
| Seria | MDmesh M2 | |
| Typ montażu | Otwór przezierny | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 125 miliomów | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V | |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V | |
| Maksymalna strata mocy | 190 W | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V, +25 V | |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Długość | 15.75mm | |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 45,5 nC przy 10 V | |
| Szerokość | 5.15mm | |
| Materiał tranzystora | Si | |
| Wysokość | 20.15mm | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka STMicroelectronics | ||
Typ kanału N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu 26 A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło 650 V | ||
Typ opakowania TO-247 | ||
Seria MDmesh M2 | ||
Typ montażu Otwór przezierny | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło 125 miliomów | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie progowe VGS 4V | ||
Minimalne napięcie progowe VGS 2V | ||
Maksymalna strata mocy 190 W | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło -25 V, +25 V | ||
Maksymalna temperatura robocza +150°C | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Długość 15.75mm | ||
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 45,5 nC przy 10 V | ||
Szerokość 5.15mm | ||
Materiał tranzystora Si | ||
Wysokość 20.15mm | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
N-kanałowy zestaw do mikroelektroniki MDmesh™ serii M2 STMicroelectronics
Seria wysokonapięciowych tranzystorów zasilających MOSFET firmy STMicroelectronics. Dzięki niskiemu obciążeniu bramki i doskonałej charakterystyce pojemności wyjściowej, seria MDmesh M2 jest idealna do stosowania w rezonansowych sieciach przełączających (konwertery LLC).
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 26 A TO-247 650 V Pojedynczy 190 W 125 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 33 A TO-247 650 V Pojedynczy 190 W 79 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 20 A TO-247 650 V Pojedynczy 151 W 190 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 21 A TO-247 650 V Pojedynczy 208 W 190 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 36 A TO-247 600 V Pojedynczy 650 W 190 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 20 A TO-247 650 V Pojedynczy 162 W 190 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 18 A TO-247 650 V Pojedynczy 150 W 190 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 22 A TO-247 650 V Pojedynczy 190 W 160 miliomów