MOSFET N-kanałowy 36 A TO-247 600 V Pojedynczy 650 W 190 miliomów

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET

Suma częściowa (1 tuba po 30 sztuk/i)*

1 172,85 zł

(bez VAT)

1 442,61 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 09 listopada 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
30 +39,095 zł1 172,85 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
920-0763
Nr części producenta:
IXFH36N60P
Producent:
IXYS
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

IXYS

Typ kanału

N

Maksymalny ciągły prąd drenu

36 A

Maksymalne napięcie dren-źródło

600 V

Typ opakowania

TO-247

Seria

HiperFET, Polar

Typ montażu

Otwór przezierny

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło

190 miliomów

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Maksymalne napięcie progowe VGS

5V

Maksymalna strata mocy

650 W

Konfiguracja tranzystora

Pojedynczy

Maksymalne napięcie bramka-źródło

-30 V, +30 V

Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs

102 nC przy 10 V

Długość

16.26mm

Maksymalna temperatura robocza

+150°C

Materiał tranzystora

Si

Liczba elementów na układ

1

Szerokość

5.3mm

Wysokość

21.46mm

Minimalna temperatura robocza

-55°C

N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar™


Tranzystory N-kanałowe Power MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™) firmy IXYS

.



Tranzystory MOSFET, IXYS


Szeroka gama Advanced dyskretnych urządzeń zasilających MOSFET firmy IXYS

Powiązane linki