BT169D,112 500 mA 400 V WeEn Semiconductors Co., Ltd 200 μA 9 A 3-pinowy
- Nr art. RS:
- 509-471
- Nr części producenta:
- BT169D,112
- Producent:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
Obecnie niedostępne
Przepraszamy, nie mamy informacji, czy ten produkt będzie jeszcze dostępny w magazynie. Zostanie on wkrótce usunięty z oferty RS.
Produkt alternatywny
Ten produkt jest aktualnie niedostępny. Zapoznaj się z poniższym produktem alternatywnym.
za szt. (opak. á 25)
25,03 zł
(bez VAT)
30,78 zł
(z VAT)
- Nr art. RS:
- 509-471
- Nr części producenta:
- BT169D,112
- Producent:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | WeEn Semiconductors Co., Ltd | |
| Średni prąd znamionowy w stanie włączenia (Irms) | 500 mA | |
| Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne (VDRM) | 400 V | |
| Maksymalny prąd wyzwalania bramki (Igt) | 200 μA | |
| Znamionowy prąd udarowy | 9 A | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalne napięcie wyzwalacza bramki (Vgt) | 800 mV | |
| Maksymalny prąd trzymania (Ih) | 5 mA | |
| Maksymalna temperatura robocza | 125 °C | |
| Szczytowe napięcie w stanie włączenia | 1.7 V | |
| Powtarzalny szczytowy prąd w stanie wyłączenia | 100 μA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka WeEn Semiconductors Co., Ltd | ||
Średni prąd znamionowy w stanie włączenia (Irms) 500 mA | ||
Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne (VDRM) 400 V | ||
Maksymalny prąd wyzwalania bramki (Igt) 200 μA | ||
Znamionowy prąd udarowy 9 A | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalne napięcie wyzwalacza bramki (Vgt) 800 mV | ||
Maksymalny prąd trzymania (Ih) 5 mA | ||
Maksymalna temperatura robocza 125 °C | ||
Szczytowe napięcie w stanie włączenia 1.7 V | ||
Powtarzalny szczytowy prąd w stanie wyłączenia 100 μA | ||
Phase Control Thyristors, WeEn Semiconductors
Thyristors - WeEn Semiconductors;A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased. Thyristors are synonymous to Silicon-Controlled Rectifier (SCR).;Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT78 plastic package intended for use in applications requiring high bidirectional blocking voltage capability, high surge current capability and high thermal cycling performance.
Key Features
Thyristors - WeEn Semiconductors
A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased. Thyristors are synonymous to Silicon-Controlled Rectifier (SCR).
Powiązane linki
- BT169D Ltd 200 μA 9 A 3-pinowy
- Tyrystor BT169G Ltd SCR 200 μA 9 A SPT
- Tyrystor BT168GW Ltd SCR 200 μA 9 A SC-73
- Tyrystor BT148W-600R Ltd SCR 200 μA 11 A SC-73
- Tyrystor BT258X-500R Ltd SCR 200 μA 82 A TO-220
- WeEn Semiconductors Co.127
- Tyrystor 7.5 A 650 V WeEn Semiconductors Co., Ltd SCR 15 mA 132 A TO-220
- Tyrystor 16 A 800 V WeEn Semiconductors Co., Ltd SCR 35 mA 330 A TO-220