onsemi Tranzystor Darlingtona 2N6387G 60 V dc 1 Otwór przelotowy TO-220 NPN 4 A HFE 1000 3-pinowy
- Nr art. RS:
- 186-7907P
- Nr części producenta:
- 2N6387G
- Producent:
- onsemi
Suma częściowa 10 sztuk/i (dostarczane w tubie)*
35,37 zł
(bez VAT)
43,51 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- 10 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 10 + | 3,537 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 186-7907P
- Nr części producenta:
- 2N6387G
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ produktu | Tranzystor Darlingtona | |
| Maksymalny ciągły prąd kolektora Ic | 4A | |
| Maksymalne napięcie emitera kolektora Vceo | 60V dc | |
| Typ obudowy | TO-220 | |
| Typ montażu | Otwór przelotowy | |
| Liczba styków | 3 | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Minimalne wzmocnienie prądu DC hFE | 1000 | |
| Polaryzacja tranzystora | NPN | |
| Maksymalne napięcie podstawy emitera VEBO | 5V dc | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 65W | |
| Minimalna temperatura robocza | -65°C | |
| Maksymalne napięcie podstawy kolektora VCBO | 60V dc | |
| Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter VceSAT | 2V | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Wysokość | 15.75mm | |
| Seria | 2N6388 | |
| Długość | 10.53mm | |
| Maksymalny prąd odcięcia kolektora | 1mA | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ produktu Tranzystor Darlingtona | ||
Maksymalny ciągły prąd kolektora Ic 4A | ||
Maksymalne napięcie emitera kolektora Vceo 60V dc | ||
Typ obudowy TO-220 | ||
Typ montażu Otwór przelotowy | ||
Liczba styków 3 | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Minimalne wzmocnienie prądu DC hFE 1000 | ||
Polaryzacja tranzystora NPN | ||
Maksymalne napięcie podstawy emitera VEBO 5V dc | ||
Maksymalna strata mocy Pd 65W | ||
Minimalna temperatura robocza -65°C | ||
Maksymalne napięcie podstawy kolektora VCBO 60V dc | ||
Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter VceSAT 2V | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Wysokość 15.75mm | ||
Seria 2N6388 | ||
Długość 10.53mm | ||
Maksymalny prąd odcięcia kolektora 1mA | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
- Kraj pochodzenia:
- CN
Tranzystor mocy bipolarnej 8 A 80 V NPN firmy Darlington jest przeznaczony do wzmacniaczy uniwersalnych i zastosowań przełączania z niską prędkością.
Wysoki wzrost prądu DC — hFE=2500 (typ) przy Ic=4,0 Adc
Napięcie podtrzymujące kolektora-emiteru – przy 100 mAdc, Vceo(sus) = 60 Vdc (min.) – 2N6387, Vceo (sus) = 80 Vdc (min.) – 2N6388
Napięcie podtrzymujące kolektora-emiteru – przy 100 mAdc, Vceo(sus) = 60 Vdc (min.) – 2N6387, Vceo (sus) = 80 Vdc (min.) – 2N6388
Niskie napięcie nasycenia kolektora-emitującego – Vce(sat) = 2,0 V DC (maks.) przy Ic=5,0 Adc
Konstrukcja monolityczna z wbudowanymi rezystorami shunt-emiter bazowy
Kompaktowa obudowa T0-220AB