Dysk SSD MTE662P, 512 GB, NVMe PCIe Gen 3 x 4, wewnętrzny Nie, Transcend TLC -40 → +85°C

Zobacz wszystkie Dyski SSD

Suma częściowa (1 sztuka)*

1 193,93 zł

(bez VAT)

1 468,53 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 2 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 +1 193,93 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
240-5549
Nr części producenta:
TS512GMTE662P
Producent:
Transcend
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Transcend

Rodzaj dysku twardego

SSD

Model

MTE662P

Wewnętrzne/zewnętrzne

Wewnętrzne

Format

M.2

Przemysłowy

Nie

Pojemność

512 GB

Interfejs

NVMe PCIe Gen 3 x 4

Typ Nand

TLC

Zakres temperatur

-40 → +85°C

Wymiary

80 x 22 x 3.88mm

Długość

80mm

Szerokość

22mm

Masa

9g

Wysokość

3.88mm

Kraj pochodzenia:
TW

Dysk półprzewodnikowy Transcend, pojemność 512 GB, interfejs NVMe PCIe Gen 3 x 4 - TS512GMTE662P


Ten dysk półprzewodnikowy oferuje zaawansowaną wydajność i efektywność. Wewnętrzny dysk SSD o pojemności 512 GB został zaprojektowany w kompaktowej obudowie M.2 o wymiarach 80 mm x 22 mm x 3,88 mm. Wykorzystuje on interfejs NVMe PCIe Gen 3 x4 do szybkiego transferu danych i jest wyposażony w technologię 3D NAND w celu zwiększenia gęstości pamięci masowej i szybkości dostępu.

Cechy i zalety


• Wysokie prędkości sekwencyjnego odczytu do 3400 MB/s przyspieszają pobieranie danych
• Pamięć podręczna DDR4 DRAM zwiększa wydajność odczytu i zapisu danych
• Inteligentna osłona zasilania chroni dane podczas nagłych przerw w zasilaniu
• Rozszerzony zakres temperatur pracy zapewnia niezawodność w trudnych warunkach
• Technologia Corner Bond wzmacnia integralność komponentów przed fizycznymi wstrząsami

Zastosowania


• Używany do wrażliwych na prędkość systemów automatyki
• Nadaje się do zadań wymagających dużej ilości danych w projektach inżynierii mechanicznej
• Idealny dla elektroniki wymagającej niezawodnego przechowywania danych
• Kompatybilność z różnymi komputerami PC dla lepszych rozwiązań pamięci masowej

Jak zakres temperatur roboczych wpływa na wydajność w określonych branżach?


Rozszerzony zakres działania od -20°C do 75°C zapewnia stabilność w środowiskach z wahaniami temperatury, dzięki czemu nadaje się do różnych zastosowań przemysłowych. Model szerokotemperaturowy rozszerza ten zakres do -40°C do 85°C, zapewniając funkcjonalność w ekstremalnych warunkach.

Jakie są zalety technologii 3D NAND zastosowanej w tym produkcie?


technologia 3D NAND zapewnia wyższą gęstość zapisu w porównaniu do tradycyjnej technologii 2D NAND, umożliwiając przechowywanie większej ilości danych na mniejszej przestrzeni. Skutkuje to lepszą wydajnością i dłuższą wytrzymałością, co jest kluczowe dla wymagających aplikacji.

W jaki sposób wbudowana pamięć podręczna DRAM zwiększa komfort użytkowania?


Wbudowana pamięć podręczna DDR4 DRAM znacznie poprawia szybkość dostępu do danych poprzez tymczasowe przechowywanie często używanych danych, umożliwiając szybsze operacje odczytu/zapisu i ogólną poprawę szybkości reakcji systemu.

Czy ten produkt nadaje się do użytku w aplikacjach o znaczeniu krytycznym?


Tak, solidna konstrukcja w połączeniu z inteligentną osłoną zasilania zapewnia integralność i niezawodność danych, dzięki czemu skutecznie nadaje się do zastosowań o znaczeniu krytycznym, wymagających stałej wydajności i ochrony danych.

.


Powiązane linki