SSD MTE662P-I M.2 512 GB, Wewnętrzny Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych, Transcend TLC 85 °C -40 °C

Ten dysk półprzewodnikowy oferuje zaawansowaną wydajność o pojemności 512 GB i jest wyposażony w wewnętrzną obudowę M.2. Wyposażony w interfejs NVMe PCIe Gen 3 x4, osiąga wyjątkowe prędkości transferu danych, dzięki czemu idealnie nadaje się zarówno do zastosowań przemysłowych, jak i codziennych. Kompaktowe wymiary 80 mm x 22 mm x 3,88 mm mieszczą różne urządzenia, zapewniając wszechstronność użytkowania.

• Zapewnia prędkość odczytu do 3400 MB/s dla szybkiego dostępu do danych

• Używany do wysokowydajnych obliczeń w automatyce przemysłowej

Technologia 3D NAND pozwala na większe upakowanie komórek pamięci, poprawiając gęstość i wydajność. Prowadzi to do szybszych prędkości odczytu i zapisu, dzięki czemu nadaje się do wymagających zastosowań, w których wydajność ma kluczowe znaczenie.

Szeroki zakres temperatur zapewnia niezawodne działanie zarówno w ekstremalnie niskich, jak i wysokich temperaturach. Dzięki temu idealnie nadaje się do zastosowań na zewnątrz budynków lub w środowiskach o zmiennych temperaturach, zachowując funkcjonalność i integralność danych.

Inteligentna osłona zasilania chroni dane podczas nagłej utraty zasilania, utrzymując zasilanie przez krótki czas, umożliwiając bezpieczne wyłączenie i zapobiegając uszkodzeniu danych w krytycznych operacjach.

Wbudowana pamięć podręczna DDR4 DRAM zwiększa prędkość odczytu i zapisu poprzez tymczasowe przechowywanie często używanych danych, co skutkuje krótszym czasem reakcji i ogólną poprawą wydajności systemu podczas intensywnych zadań.