SSD MTE662T2 M.2 256 Gb, Wewnętrzny Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych, Transcend 3D 75 °C -20 °C

Suma częściowa (1 sztuka)*

2 298,51 zł

(bez VAT)

2 827,17 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • 9 szt. dostępne od 17 lipca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 +2 298,51 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
245-0020
Nr części producenta:
TS256GMTE662T2
Producent:
Transcend
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Transcend

Rozmiar pamięci

256Gb

Typ produktu

SSD

Numer modelu

MTE662T2

Typ podrzędny

SSD

Wewnętrzne/zewnętrzne

Wewnętrzny

Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych

Tak

Wielkość

M.2

Typ NAND

3D

Typ złącza

PCIe Gen 3.0 x4 NVMe

Minimalna temperatura robocza

-20°C

Maksymalna temperatura robocza

75°C

Długość

80mm

Wysokość

3.58mm

Szerokość

22mm

Normy/Zatwierdzenia

CE

Kraj pochodzenia:
TW

Dysk półprzewodnikowy Transcend, pojemność 256 GB, wewnętrzny - TS256GMTE662T2


Ten dysk półprzewodnikowy został zaprojektowany do zastosowań wymagających wysokiej wydajności i charakteryzuje się kompaktowymi wymiarami 80 mm x 22 mm x 3,58 mm. Format M.2 zapewnia bezproblemowe dopasowanie do różnych urządzeń, a imponująca pojemność 256 GB zapewnia wystarczającą ilość miejsca na zadania wymagające dużej ilości danych. Wykorzystując zaawansowaną technologię interfejsu NVMe PCIe Gen 3 x 4, zapewnia wyjątkowe prędkości transferu, idealne dla wymagających środowisk.

Cechy i zalety


• Imponujące prędkości sekwencyjnego odczytu do 3500 MB/s usprawniają pobieranie danych

• Prędkości zapisu sięgające 2700 MB/s znacznie poprawiają transfer plików

• Wykorzystuje technologię 3D NAND w celu zwiększenia wydajności pamięci masowej

• Wytrzymałość na 3 tys. cykli programowania/kasowania zapewnia długotrwałą wydajność

• Działa niezawodnie w temperaturach od -20°C do 75°C, dzięki czemu sprawdza się w trudnych warunkach

• Wbudowana pamięć podręczna DDR4 DRAM dla szybszego dostępu i przetwarzania danych

Zastosowania


• Nadaje się do systemów kontroli automatyki wymagających szybkiego dostępu do danych

• Idealny do zastosowań przemysłowych, gdzie niezawodność ma kluczowe znaczenie

• Używany w laptopach i komputerach stacjonarnych przeznaczonych do szybkich obliczeń

• Dla systemów wbudowanych wymagających kompaktowych, wytrzymałych rozwiązań pamięci masowej

W jaki sposób rozwiązuje to problemy z wydajnością aplikacji intensywnie przetwarzających dane?


Integracja interfejsu PCIe Gen 3 x 4 umożliwia wyjątkowo wysokie prędkości odczytu i zapisu, zapewniając przetwarzanie nawet dużych plików z minimalnym opóźnieniem.

W jakich środowiskach może działać?


Dzięki zakresowi tolerancji temperatury od -20°C do 75°C, został zaprojektowany do pracy w warunkach przemysłowych, zachowując niezawodność w różnych warunkach środowiskowych.

Jakie korzyści zapewnia technologia 3D NAND w porównaniu z tradycyjnymi pamięciami NAND?


Pionowe układanie chipów flash w 3D NAND poprawia gęstość, pozwalając na większą pojemność i wydajność w porównaniu do konwencjonalnych technologii 2D NAND.

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.