SSD MTS970T M.2 AES-256 512 Gb, Wewnętrzny Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych, Transcend 3D TLC 75 °C -20 °C

Zobacz wszystkie Dyski SSD

Suma częściowa (1 sztuka)*

2 439,68 zł

(bez VAT)

3 000,81 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Ostatni magazyn RS
  • Ostatnie 4 sztuk, gotowe do wysyłki z innej lokalizacji
Produkty
Za jednostkę
1 +2 439,68 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
245-0088
Nr części producenta:
TS512GMTS970T
Producent:
Transcend
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Transcend

Rozmiar pamięci

512Gb

Typ podrzędny

SSD

Typ produktu

SSD

Numer modelu

MTS970T

Wewnętrzne/zewnętrzne

Wewnętrzny

Wielkość

M.2

Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych

Tak

Typ NAND

3D TLC

Poziom szyfrowania

AES-256

Typ złącza

SATA III

Minimalna temperatura robocza

-20°C

Maksymalna temperatura robocza

75°C

Długość

80mm

Normy/Zatwierdzenia

BSMI, FCC, CE

Wysokość

3.58mm

Szerokość

22mm

Kraj pochodzenia:
TW

Dysk półprzewodnikowy Transcend, pojemność 512 GB, interfejs SATA III - TS512GMTS970T


Ten dysk półprzewodnikowy oferuje wysokowydajne wewnętrzne rozwiązania pamięci masowej do różnych zastosowań. Kompaktowy format M.2 o wymiarach 80 mm x 22 mm x 3,58 mm sprawia, że jest to odpowiedni wybór dla nowoczesnych urządzeń. Zaprojektowany w zaawansowanej technologii 3D NAND, znacznie zwiększa wydajność i niezawodność pamięci masowej, zapewniając solidne działanie nawet w trudnych warunkach.

Cechy i zalety


• Wykorzystuje interfejs SATA III do szybkiego transferu danych

• Zbudowany w technologii 3D NAND dla lepszej gęstości pamięci masowej

• Wytrzymałość na poziomie 3 tys. cykli programowania/kasowania zwiększa trwałość urządzenia

• Działa w szerokim zakresie temperatur, zapewniając niezawodność przemysłową

• Zintegrowana pamięć podręczna DRAM przyspiesza czas dostępu do danych

• Wyposażony w zaawansowane funkcje korekcji błędów zapewniające integralność danych

Zastosowania


• Używany w systemach wbudowanych w sektorze automatyki

• Nadaje się do elektroniki wymagającej kompaktowej pamięci półprzewodnikowej

• Idealny dla przemysłu mechanicznego i elektrycznego

• Stosowane w systemach o krytycznym znaczeniu, wymagających odporności na wysokie temperatury

W jaki sposób wykorzystanie technologii 3D NAND zwiększa wydajność?


Wdrożenie technologii 3D NAND zwiększa gęstość i wydajność pamięci masowej, zapewniając szybsze prędkości odczytu i zapisu przy jednoczesnym zminimalizowaniu opóźnień w porównaniu z tradycyjnymi układami NAND.

Jakie korzyści dla instalacji zapewnia wewnętrzny format M.2?


Kompaktowa konstrukcja wewnętrznego formatu M.2 pozwala na instalację w ciasnych przestrzeniach, dzięki czemu idealnie nadaje się do małych urządzeń i nowoczesnych rozwiązań komputerowych.

Jak zintegrowana pamięć podręczna DRAM wpływa na ogólną wydajność?


Zintegrowana pamięć podręczna DRAM umożliwia szybszy dostęp do często używanych danych, znacznie zwiększając wydajność dysku podczas operacji odczytu i zapisu.

Jakie środki są stosowane w celu zapewnienia integralności danych?


Zaawansowane kody korekcji błędów (ECC) i algorytmy niwelujące zużycie są stosowane w celu zwiększenia integralności i niezawodności danych, zapewniając, że dane pozostaną bezpieczne podczas długotrwałego użytkowania.

Powiązane linki