Dysk SSD MTE710T-I, 1 TB, NVMe PCIe Gen 4 x 4, wewnętrzny Tak, Transcend 3D TLC Nie -40 → +85°C
- Nr art. RS:
- 262-9699
- Nr części producenta:
- TS1TMTE710T-I
- Producent:
- Transcend
Suma częściowa (1 sztuka)*
1 051,22 zł
(bez VAT)
1 293,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Ostatni magazyn RS
- Ostatnie 4 sztuk, gotowe do wysyłki z innej lokalizacji
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 + | 1 051,22 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 262-9699
- Nr części producenta:
- TS1TMTE710T-I
- Producent:
- Transcend
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Transcend | |
| Rodzaj dysku twardego | SSD | |
| Model | MTE710T-I | |
| Wewnętrzne/zewnętrzne | Wewnętrzne | |
| Przemysłowy | Tak | |
| Format | M.2 2280 | |
| Pojemność | 1 TB | |
| Interfejs | NVMe PCIe Gen 4 x 4 | |
| Typ Nand | 3D TLC | |
| Samozniszczenie | Nie | |
| Zakres temperatur | -40 → +85°C | |
| Wymiary | 80 x 22 x 3.58mm | |
| Długość | 80mm | |
| Szerokość | 22mm | |
| Masa | 10g | |
| Wysokość | 3.58mm | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Transcend | ||
Rodzaj dysku twardego SSD | ||
Model MTE710T-I | ||
Wewnętrzne/zewnętrzne Wewnętrzne | ||
Przemysłowy Tak | ||
Format M.2 2280 | ||
Pojemność 1 TB | ||
Interfejs NVMe PCIe Gen 4 x 4 | ||
Typ Nand 3D TLC | ||
Samozniszczenie Nie | ||
Zakres temperatur -40 → +85°C | ||
Wymiary 80 x 22 x 3.58mm | ||
Długość 80mm | ||
Szerokość 22mm | ||
Masa 10g | ||
Wysokość 3.58mm | ||
Zwolniony
Dysk twardy Transcend SSD, pojemność 1 TB, interfejs NVMe PCIe Gen 4 x 4 - TS1TMTE710T-I
Ten dysk półprzewodnikowy zapewnia wysokowydajne rozwiązania pamięci masowej o pojemności 1 TB. Zaprojektowany w kompaktowej obudowie M.2 2280, idealnie pasuje do różnych urządzeń komputerowych, zapewniając jednocześnie wydajność i szybkość. Wyposażony w wewnętrzną architekturę wystarczająco wytrzymałą do zastosowań przemysłowych, gwarantuje niezawodność w wymagających środowiskach.
Cechy i zalety
• Interfejs PCIe Gen 4 x4 umożliwia ultraszybki transfer danych
• Wykorzystuje 112-warstwową pamięć 3D TLC NAND dla zaawansowanej wydajności pamięci masowej
• Wbudowana pamięć podręczna DDR4 DRAM zwiększa szybkość i czas dostępu
• Szeroki zakres temperatur od -40°C do 85°C zapewnia niezawodność w trudnych warunkach
• Dynamiczne dławienie termiczne chroni przed przegrzaniem podczas intensywnych operacji
• Wykorzystuje 112-warstwową pamięć 3D TLC NAND dla zaawansowanej wydajności pamięci masowej
• Wbudowana pamięć podręczna DDR4 DRAM zwiększa szybkość i czas dostępu
• Szeroki zakres temperatur od -40°C do 85°C zapewnia niezawodność w trudnych warunkach
• Dynamiczne dławienie termiczne chroni przed przegrzaniem podczas intensywnych operacji
Zastosowania
• Używany do szybkiego przetwarzania danych w systemach automatyki
• Nadaje się do rozwiązań wbudowanych w elektronice przemysłowej
• Zastosowanie w systemach mechanicznych wymagających wytrzymałych rozwiązań pamięci masowej
• Idealny do zastosowań w elektrotechnice wymagających niezawodnego wyszukiwania danych
• Nadaje się do rozwiązań wbudowanych w elektronice przemysłowej
• Zastosowanie w systemach mechanicznych wymagających wytrzymałych rozwiązań pamięci masowej
• Idealny do zastosowań w elektrotechnice wymagających niezawodnego wyszukiwania danych
Jakie znaczenie ma 112-warstwowa technologia 3D NAND?
112-warstwowa technologia 3D NAND zwiększa gęstość pamięci masowej, co przekłada się na lepszą wydajność i osiągi przy jednoczesnej obsłudze szybszych operacji odczytu/zapisu w porównaniu do tradycyjnych konstrukcji warstwowych.
Jak interfejs PCIe Gen 4 x4 wpływa na wydajność?
Interfejs ten pozwala na znacznie wyższe prędkości transferu danych, osiągając do 3800 MB/s przy odczycie i 3200 MB/s przy zapisie, co jest bardzo korzystne dla użytkowników potrzebujących szybkiego dostępu do dużych plików.
Jakie czynniki środowiskowe może wytrzymać ten dysk?
Ten napęd został zaprojektowany do pracy w ekstremalnych temperaturach w zakresie od -40°C do 85°C, dzięki czemu nadaje się do użytku zarówno w standardowych, jak i przemysłowych warunkach, w których często występują wahania temperatury.
Jak pamięć podręczna DRAM wpływa na ogólną wydajność dysku?
Wbudowana pamięć podręczna DDR4 DRAM przyspiesza dostęp do danych, umożliwiając szybszy odczyt/zapis, a tym samym zmniejszając opóźnienia podczas intensywnych zadań, takich jak analiza danych lub wykonywanie programów.
.
Powiązane linki
- Dysk SSD MTE710T-I NVMe PCIe Gen 4 x 4 Transcend 3D TLC -40 → +85°C
- Dysk SSD MTE710T-I NVMe PCIe Gen 4 x 4 Transcend 3D -40 → +85°C
- Dysk SSD TS1TMTE712P NVMe PCIe Gen 4 x 4 Transcend 3D TLC
- Dysk SSD TS2TMTE662A NVMe PCIe Gen 3 x 4 Transcend 3D TLC
- Dysk SSD TS2TMTE712P NVMe PCIe Gen 4 x 4 Transcend 3D TLC
- Dysk SSD TS1TMTE370T NVMe PCIe Gen 3 x 4 Transcend 3D TLC
- Dysk SSD TS1TMTE662T NVMe PCIe Gen 3 x 4 Transcend 3D TLC
- Dysk SSD TS1TMTE460T PCIe NVMe Gen 3.0 x 2 Transcend 3D TLC
