SSD MTE710T-I M.2 (2280), Wewnętrzny Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych, Transcend 3D TLC 85 °C -40 °C

Ten dysk półprzewodnikowy zapewnia wysokowydajne rozwiązania pamięci masowej o pojemności 1 TB. Zaprojektowany w kompaktowej obudowie M.2 2280, idealnie pasuje do różnych urządzeń komputerowych, zapewniając jednocześnie wydajność i szybkość. Wyposażony w wewnętrzną architekturę wystarczająco wytrzymałą do zastosowań przemysłowych, gwarantuje niezawodność w wymagających środowiskach.

• Interfejs PCIe Gen 4 x4 umożliwia ultraszybki transfer danych

• Używany do szybkiego przetwarzania danych w systemach automatyki

112-warstwowa technologia 3D NAND zwiększa gęstość pamięci masowej, co przekłada się na lepszą wydajność i osiągi przy jednoczesnej obsłudze szybszych operacji odczytu/zapisu w porównaniu do tradycyjnych konstrukcji warstwowych.

Interfejs ten pozwala na znacznie wyższe prędkości transferu danych, osiągając do 3800 MB/s przy odczycie i 3200 MB/s przy zapisie, co jest bardzo korzystne dla użytkowników potrzebujących szybkiego dostępu do dużych plików.

Ten napęd został zaprojektowany do pracy w ekstremalnych temperaturach w zakresie od -40°C do 85°C, dzięki czemu nadaje się do użytku zarówno w standardowych, jak i przemysłowych warunkach, w których często występują wahania temperatury.

Wbudowana pamięć podręczna DDR4 DRAM przyspiesza dostęp do danych, umożliwiając szybszy odczyt/zapis, a tym samym zmniejszając opóźnienia podczas intensywnych zadań, takich jak analiza danych lub wykonywanie programów.