Dysk SSD MTE710T-I, 1 TB, NVMe PCIe Gen 4 x 4, wewnętrzny Tak, Transcend 3D TLC Nie -40 → +85°C

Suma częściowa (1 sztuka)*

1 051,22 zł

(bez VAT)

1 293,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Ostatni magazyn RS
  • Ostatnie 4 sztuk, gotowe do wysyłki z innej lokalizacji
Produkty
Za jednostkę
1 +1 051,22 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
262-9699
Nr części producenta:
TS1TMTE710T-I
Producent:
Transcend
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Transcend

Rodzaj dysku twardego

SSD

Model

MTE710T-I

Wewnętrzne/zewnętrzne

Wewnętrzne

Przemysłowy

Tak

Format

M.2 2280

Pojemność

1 TB

Interfejs

NVMe PCIe Gen 4 x 4

Typ Nand

3D TLC

Samozniszczenie

Nie

Zakres temperatur

-40 → +85°C

Wymiary

80 x 22 x 3.58mm

Długość

80mm

Szerokość

22mm

Masa

10g

Wysokość

3.58mm

Zwolniony

Dysk twardy Transcend SSD, pojemność 1 TB, interfejs NVMe PCIe Gen 4 x 4 - TS1TMTE710T-I


Ten dysk półprzewodnikowy zapewnia wysokowydajne rozwiązania pamięci masowej o pojemności 1 TB. Zaprojektowany w kompaktowej obudowie M.2 2280, idealnie pasuje do różnych urządzeń komputerowych, zapewniając jednocześnie wydajność i szybkość. Wyposażony w wewnętrzną architekturę wystarczająco wytrzymałą do zastosowań przemysłowych, gwarantuje niezawodność w wymagających środowiskach.

Cechy i zalety


• Interfejs PCIe Gen 4 x4 umożliwia ultraszybki transfer danych
• Wykorzystuje 112-warstwową pamięć 3D TLC NAND dla zaawansowanej wydajności pamięci masowej
• Wbudowana pamięć podręczna DDR4 DRAM zwiększa szybkość i czas dostępu
• Szeroki zakres temperatur od -40°C do 85°C zapewnia niezawodność w trudnych warunkach
• Dynamiczne dławienie termiczne chroni przed przegrzaniem podczas intensywnych operacji

Zastosowania


• Używany do szybkiego przetwarzania danych w systemach automatyki
• Nadaje się do rozwiązań wbudowanych w elektronice przemysłowej
• Zastosowanie w systemach mechanicznych wymagających wytrzymałych rozwiązań pamięci masowej
• Idealny do zastosowań w elektrotechnice wymagających niezawodnego wyszukiwania danych

Jakie znaczenie ma 112-warstwowa technologia 3D NAND?


112-warstwowa technologia 3D NAND zwiększa gęstość pamięci masowej, co przekłada się na lepszą wydajność i osiągi przy jednoczesnej obsłudze szybszych operacji odczytu/zapisu w porównaniu do tradycyjnych konstrukcji warstwowych.

Jak interfejs PCIe Gen 4 x4 wpływa na wydajność?


Interfejs ten pozwala na znacznie wyższe prędkości transferu danych, osiągając do 3800 MB/s przy odczycie i 3200 MB/s przy zapisie, co jest bardzo korzystne dla użytkowników potrzebujących szybkiego dostępu do dużych plików.

Jakie czynniki środowiskowe może wytrzymać ten dysk?


Ten napęd został zaprojektowany do pracy w ekstremalnych temperaturach w zakresie od -40°C do 85°C, dzięki czemu nadaje się do użytku zarówno w standardowych, jak i przemysłowych warunkach, w których często występują wahania temperatury.

Jak pamięć podręczna DRAM wpływa na ogólną wydajność dysku?


Wbudowana pamięć podręczna DDR4 DRAM przyspiesza dostęp do danych, umożliwiając szybszy odczyt/zapis, a tym samym zmniejszając opóźnienia podczas intensywnych zadań, takich jak analiza danych lub wykonywanie programów.

.


Powiązane linki