Dysk SSD MTE670T-I, 512 GB, NVMe PCIe Gen 3 x 4, wewnętrzny Tak, Transcend 3D TLC -40 → +85°C

Zobacz wszystkie Dyski SSD
Informacje o zapasach są obecnie niedostępne
Nr art. RS:
262-9752
Nr części producenta:
TS512GMTE670T-I
Producent:
Transcend
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Transcend

Rodzaj dysku twardego

SSD

Model

MTE670T-I

Wewnętrzne/zewnętrzne

Wewnętrzne

Format

M.2 2280

Przemysłowy

Tak

Pojemność

512 GB

Interfejs

NVMe PCIe Gen 3 x 4

Typ Nand

3D TLC

Zakres temperatur

-40 → +85°C

Wymiary

80 x 22 x 2.23mm

Długość

80mm

Szerokość

22mm

Masa

9g

Wysokość

2.23mm

Zwolniony

Dysk twardy Transcend SSD, pojemność 512 GB, interfejs NVMe PCIe Gen 3 x 4 - TS512GMTE670T-I


Ten dysk półprzewodnikowy jest przeznaczony do wysokowydajnych obliczeń. Zapewniając szybkie prędkości transferu danych, charakteryzuje się solidną pojemnością 512 GB i kompaktową obudową M.2 2280 o długości 80 mm i szerokości 22 mm. Zbudowany w oparciu o zaawansowaną technologię 3D TLC NAND, ten wewnętrzny dysk SSD zapewnia wydajną wydajność, dzięki czemu idealnie nadaje się do wymagających zastosowań w różnych branżach.

Cechy i zalety


• Wykorzystuje 112-warstwową technologię 3D NAND w celu zwiększenia wydajności pamięci masowej
• Zgodność z PCIe Gen 3 x4 dla szybkiego transferu danych
• Wytrzymałość na poziomie 3 tys. cykli programowania/kasowania zwiększa trwałość urządzenia
• Odporność na temperaturę, działanie w zakresie od -40°C do 85°C
• Zawiera wbudowane LDPC ECC dla zwiększenia integralności danych
• Obsługuje S.M.A.R.T do proaktywnego monitorowania stanu zdrowia i raportowania

Zastosowania


• Używany w systemach automatyki wymagających niezawodnego dostępu do danych
• Idealny do elektroniki, gdzie szybkość ma kluczowe znaczenie
• Wykorzystywane w inżynierii mechanicznej do szybkich zadań obliczeniowych
• Nadaje się do zastosowań przemysłowych wymagających przechowywania odpornego na temperaturę

Jakie rodzaje technologii NAND wykorzystuje to urządzenie?


Urządzenie wykorzystuje 112-warstwową technologię 3D TLC NAND, która zwiększa efektywność i wydajność pamięci masowej w porównaniu do tradycyjnych rozwiązań NAND.

W jaki sposób ocena wytrzymałości jest korzystna dla aplikacji o wysokim zapotrzebowaniu?


Wytrzymałość na poziomie 3 tys. cykli programowania/kasowania zapewnia stałą niezawodność i trwałość w środowiskach, w których występuje częsty zapis danych, dzięki czemu nadaje się do zadań o znaczeniu krytycznym.

Jakiej wydajności termicznej można oczekiwać od tego dysku?


Model ten działa wydajnie w ekstremalnych temperaturach, w zakresie od -40°C do 85°C, zapewniając stabilną pracę w różnych środowiskach operacyjnych.

Jakie jest znaczenie interfejsu PCIe Gen 3 x4?


Interfejs ten pozwala na szybszy transfer danych, co może znacznie poprawić ogólną wydajność systemu, szczególnie w aplikacjach intensywnie wykorzystujących dane.

W jaki sposób wbudowana funkcja S.M.A.R.T zwiększa użyteczność?


Funkcja S.M.A.R.T obsługuje ciągłe monitorowanie stanu dysku, umożliwiając wczesne wykrywanie potencjalnych problemów, co ma kluczowe znaczenie dla zachowania integralności danych i niezawodności systemu.

.


Powiązane linki