Fotodioda Podczerwień 65 ° Otwór przelotowy TO-52 APD05-8-150-T52L OSI Optoelectronics

Nr art. RS:: 177-5570
Nr części producenta:: APD05-8-150-T52L
Producent:: OSI Optoelectronics

Fotodioda Podczerwień 65 ° Otwór przelotowy TO-52 APD05-8-150-T52L OSI Optoelectronics

Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)*

2 598,44 zł

(bez VAT)

3 196,08 zł

(z VAT)

DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł

W magazynie

10 szt. do wysyłki z innej lokalizacji

Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty	Za jednostkę	Za Opakowanie*
5 +	519,688 zł	2 598,44 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:: 177-5570
Nr części producenta:: APD05-8-150-T52L
Producent:: OSI Optoelectronics

Specyfikacje

Informacje techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.

Zaznacz wszystkie	Atrybut	Wartość
	Marka	OSI Optoelectronics
	Typ produktu	Fotodioda
	Wykryte spektrum	Podczerwień
	Długość fali dla szczytowej czułości	800nm
	Typ obudowy	TO-52
	Opakowanie	Taśma i szpula
	Typ montażu	Otwór przelotowy
	Liczba styków	3
	Minimalna wykrywana długość fali	600nm
	Maksymalna wykrywana długość fali	1100nm
	Typowy czas opadania sygnału	0.6ns
	Wzmocnione	Nie
	Minimalna temperatura robocza	-25°C
	Maksymalna temperatura robocza	85°C
	Wysokość	3.8mm
	Długość	5mm
	Szerokość	5 mm
	Normy/Zatwierdzenia	RoHS
	Kąt połówkowej czułości	65 °
	Średnica	5.4 mm
	Prąd ciemny	0.2nA
	Typowy czas narastania sygnału	0.6ns
	Napięcie przebicia	30V
	Norma motoryzacyjna	Nie
	Biegunowość	Odwrócony

	Zaznacz wszystkie
	Marka OSI Optoelectronics
	Typ produktu Fotodioda
	Wykryte spektrum Podczerwień
	Długość fali dla szczytowej czułości 800nm
	Typ obudowy TO-52
	Opakowanie Taśma i szpula
	Typ montażu Otwór przelotowy
	Liczba styków 3
	Minimalna wykrywana długość fali 600nm
	Maksymalna wykrywana długość fali 1100nm
	Typowy czas opadania sygnału 0.6ns
	Wzmocnione Nie
	Minimalna temperatura robocza -25°C
	Maksymalna temperatura robocza 85°C
	Wysokość 3.8mm
	Długość 5mm
	Szerokość 5 mm
	Normy/Zatwierdzenia RoHS
	Kąt połówkowej czułości 65 °
	Średnica 5.4 mm
	Prąd ciemny 0.2nA
	Typowy czas narastania sygnału 0.6ns
	Napięcie przebicia 30V
	Norma motoryzacyjna Nie
	Biegunowość Odwrócony

APD Series Silicon Avalanche Photodiode Data Sheet

Kraj pochodzenia:: US

Diody LED modelu OSI APD z serii 8-150 silikonowych lawinowych

Seria APD 8-150 osi Optoelectronics modelu OSI to rodzina fotodiod lawinowych, zoptymalizowanych pod kątem pracy w paśmie 800 nm. Są one dostarczane w hermetycznych opakowaniach metalowych z opcjami pomiaru średnicy powierzchni czynnej 0,2, 0,5, 1 lub 1,5 mm. Fotodiody serii APD 8-150 oferują niski poziom szumów i wysoką czułość w paśmie o szerokości do 1 GHz. Odpowiednie zastosowania fotodiod APD 8-150 obejmują: Komunikację światłowodową, celownik laserowy oraz fotometrię wysokiej prędkości.

Cechy serii APD 8-150:

Opakowania: Do-52 i TO-5

Współczynnik niskiej temperatury: 0,45 V/°C.

Wysoka czułość

Niski poziom zakłóceń

Duża szerokość pasma

Temperatura pracy: Od -40°C do +100°C.

Fotodioda Podczerwień 65 ° Otwór przelotowy TO-52 APD05-8-150-T52L OSI Optoelectronics

DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł

Diody LED modelu OSI APD z serii 8-150 silikonowych lawinowych

Fotodiody osi Optoelectronics

Powiązane linki