Infineon FRAM 2 MB FM25V20A-G SPI 8-pinowy SOIC

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

69,75 zł

(bez VAT)

85,79 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • 940 szt. dostępne od 30 lipca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
1 - 969,75 zł
10 - 2467,86 zł
25 - 9966,11 zł
100 - 49964,44 zł
500 +62,82 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
124-2990
Nr części producenta:
FM25V20A-G
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

2MB

Typ produktu

FRAM

Typ złącza

SPI

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

16ns

Maksymalna częstotliwość zegara

40MHz

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

SOIC

Liczba styków

8

Wysokość

1.38mm

Długość

4.97mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Maksymalne napięcie zasilania

3.6V

Minimalne napięcie zasilania

2V

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Liczba bitów w słowie

8

Liczba słów

256K

Minimalna temperatura robocza

-40°C

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM

Duża szybkość zapisu

Wysoka wytrzymałość

Niski pobór mocy

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki