Infineon FRAM 1 MB FM25VN10-G SPI 8-pinowy SOIC

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtowe

Suma częściowa (1 sztuka)*

72,27 zł

(bez VAT)

88,89 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • 347 szt. dostępne od 21 września 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
1 - 972,27 zł
10 - 2464,53 zł
25 - 9962,91 zł
100 - 49961,25 zł
500 +59,72 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
124-2991
Nr części producenta:
FM25VN10-G
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ produktu

FRAM

Rozmiar pamięci

1MB

Organizacja

128 K x 8 bitów

Typ złącza

SPI

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

18ns

Maksymalna częstotliwość zegara

40MHz

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

SOIC

Liczba styków

8

Szerokość

3.98mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Wysokość

1.47mm

Długość

4.97mm

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Liczba bitów w słowie

8

Maksymalne napięcie zasilania

3.6V

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Liczba słów

128k

Minimalne napięcie zasilania

2V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM

Duża szybkość zapisu

Wysoka wytrzymałość

Niski pobór mocy

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.