Pamięć FRAM 16kbit FM25L16B-G SPI 8-pinowy SOIC

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)*

32,26 zł

(bez VAT)

39,68 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 70 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
  • Dodatkowe 565 szt. dostępne od 12 grudnia 2025
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
5 - 106,452 zł32,26 zł
15 - 254,968 zł24,84 zł
30 - 954,78 zł23,90 zł
100 - 4954,258 zł21,29 zł
500 +4,14 zł20,70 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
125-4226
Nr części producenta:
FM25L16B-G
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

16kbit

Organizacja

2K x 8 bitów

Typ złącza

SPI

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

20ns

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Typ opakowania

SOIC

Liczba styków

8

Wymiary

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Długość

4.97mm

Maksymalne robocze napięcie zasilania

3,6 V

Szerokość

3.98mm

Wysokość

1.48mm

Maksymalna temperatura robocza

+85°C

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Liczba słów

2K

Minimalne robocze napięcie zasilania

2,7 V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Liczba bitów w słowie

8bit

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM
Duża szybkość zapisu
Wysoka wytrzymałość
Niski pobór mocy

.



Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki