Pamięć FRAM 256kbit FM28V020-SG równoległa 28-pinowy SOIC

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

57,47 zł

(bez VAT)

70,69 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 2 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
  • Dodatkowe 284 szt. dostępne od 12 grudnia 2025
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 - 957,47 zł
10 - 4946,80 zł
50 - 9945,63 zł
100 - 49944,28 zł
500 +43,34 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
125-4229
Nr części producenta:
FM28V020-SG
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

256kbit

Organizacja

32K x 8 bitów

Typ złącza

Równoległy

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

70ns

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Typ opakowania

SOIC

Liczba styków

28

Wymiary

18.11 x 7.62 x 2.37mm

Długość

18.11mm

Maksymalne robocze napięcie zasilania

3,6 V

Szerokość

7.62mm

Wysokość

2.37mm

Maksymalna temperatura robocza

+85°C

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Liczba bitów w słowie

8bit

Liczba słów

32K

Minimalne robocze napięcie zasilania

2 V

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM
Duża szybkość zapisu
Wysoka wytrzymałość
Niski pobór mocy

.



Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki