Pamięć FRAM 256kbit FM18W08-SG równoległa 28-pinowy SOIC

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tuba po 27 sztuk/i)*

1 318,194 zł

(bez VAT)

1 621,377 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Dodatkowe 135 szt. dostępne od 10 listopada 2025
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
27 - 2748,822 zł1 318,19 zł
54 - 8148,187 zł1 301,05 zł
108 - 24342,963 zł1 160,00 zł
270 - 48641,792 zł1 128,38 zł
513 +40,767 zł1 100,71 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
188-5394
Nr części producenta:
FM18W08-SG
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

256kbit

Organizacja

32K x 8 bitów

Typ złącza

Równoległy

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

70ns

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Typ opakowania

SOIC

Liczba styków

28

Wymiary

18.11 x 7.62 x 2.37mm

Długość

18.11mm

Maksymalne robocze napięcie zasilania

5,5 V

Szerokość

7.62mm

Wysokość

2.37mm

Maksymalna temperatura robocza

+85°C

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Liczba bitów w słowie

8bit

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Minimalne robocze napięcie zasilania

2,7 V

Liczba słów

32k

Kraj pochodzenia:
US

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM
Duża szybkość zapisu
Wysoka wytrzymałość
Niski pobór mocy

.



Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki