Infineon FRAM 256 kB Równoległy 28-pinowy SOIC

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tuba po 27 sztuk/i)*

1 211,571 zł

(bez VAT)

1 490,238 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 81 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
27 - 2744,873 zł1 211,57 zł
54 - 8144,29 zł1 195,83 zł
108 - 24340,837 zł1 102,60 zł
270 - 48639,79 zł1 074,33 zł
513 +38,797 zł1 047,52 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
188-5394
Nr części producenta:
FM18W08-SG
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ produktu

FRAM

Rozmiar pamięci

256kB

Typ złącza

Równoległy

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

70ns

Typ montażu

Powierzchnia

Maksymalna częstotliwość zegara

1MHz

Typ obudowy

SOIC

Liczba styków

28

Normy/Zatwierdzenia

No

Wysokość

2.37mm

Długość

18.11mm

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Liczba bitów w słowie

8

Maksymalne napięcie zasilania

5.5V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Liczba słów

32k

Minimalne napięcie zasilania

2.7V

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM

Duża szybkość zapisu

Wysoka wytrzymałość

Niski pobór mocy

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki