Infineon FRAM 256 kB FM18W08-SG Równoległy 28-pinowy SOIC

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

50,67 zł

(bez VAT)

62,32 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 8 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
  • Dodatkowe 105 szt. dostępne od 12 maja 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
1 - 950,67 zł
10 - 4942,12 zł
50 - 9941,00 zł
100 - 49939,96 zł
500 +38,93 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
125-4205
Nr części producenta:
FM18W08-SG
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

256kB

Typ produktu

FRAM

Typ złącza

Równoległy

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

70ns

Maksymalna częstotliwość zegara

1MHz

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

SOIC

Liczba styków

28

Wysokość

2.37mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Długość

18.11mm

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Liczba bitów w słowie

8

Maksymalne napięcie zasilania

5.5V

Liczba słów

32k

Minimalne napięcie zasilania

2.7V

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM

Duża szybkość zapisu

Wysoka wytrzymałość

Niski pobór mocy

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki