Infineon FRAM 256 kB FM18W08-SG Równoległy 28-pinowy SOIC

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtowe

Suma częściowa (1 sztuka)*

74,54 zł

(bez VAT)

91,68 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Dodatkowe 12 szt. dostępne od 02 listopada 2026
  • Dodatkowe 493 szt. dostępne od 24 grudnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
1 - 974,54 zł
10 - 4967,08 zł
50 +60,32 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
125-4205
Nr części producenta:
FM18W08-SG
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

256kB

Typ produktu

FRAM

Organizacja

32K x 8 bitów

Typ złącza

Równoległy

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

70ns

Maksymalna częstotliwość zegara

1MHz

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

SOIC

Liczba styków

28

Wysokość

2.37mm

Szerokość

7.62mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Długość

18.11mm

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Maksymalne napięcie zasilania

5.5V

Liczba bitów w słowie

8

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Minimalne napięcie zasilania

2.7V

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Liczba słów

32k

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM

Duża szybkość zapisu

Wysoka wytrzymałość

Niski pobór mocy

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.