Infineon FRAM 2 MB SPI 8-pinowy SOIC

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtowe

Suma częściowa (1 tuba po 94 sztuk/i)*

7 596,704 zł

(bez VAT)

9 343,976 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 29 grudnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
94 - 9480,816 zł7 596,70 zł
188 - 18878,715 zł7 399,21 zł
282 +76,695 zł7 209,33 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
188-3437
Nr części producenta:
CY15V102QN-50SXE
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

2MB

Typ produktu

FRAM

Organizacja

256K x 8 bitów

Typ złącza

SPI

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

9ns

Typ montażu

Powierzchnia

Maksymalna częstotliwość zegara

50MHz

Typ obudowy

SOIC

Liczba styków

8

Szerokość

5.33mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Wysokość

1.78mm

Długość

5.33mm

Maksymalna temperatura robocza

125°C

Liczba słów

256K

Minimalne napięcie zasilania

1.71V

Maksymalne napięcie zasilania

1.89V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Liczba bitów w słowie

8

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

2-Mbit ferroelektrycznej pamięci o dostępie swobodnym (F-RAM), logicznie zorganizowanej jako 256K x 8

Praktycznie nieograniczona trwałość rzędu 10 bilionów (1013) cykli odczytu/zapisu

Przechowywanie danych przez okres 121 lat.

Funkcja NOpóźnienie™ zapisuje

Advanced o wysokiej niezawodności proces ferroelektryczny

Szybki interfejs szeregowy (SPI)

Częstotliwość do 50 MHz.

Obsługa trybu SPI 0 (0, 0) i trybu 3 (1, 1)

Zaawansowany system ochrony przed zapisem

Zabezpieczenie sprzętowe z użyciem styku Write Protect (WP)

Ochrona oprogramowania za pomocą instrukcji Write Disable (WRDI)

Ochrona bloku oprogramowania dla macierzy 1/4, 1/2 lub całej

Identyfikator urządzenia i numer seryjny

Identyfikator urządzenia zawiera identyfikator producenta i identyfikator produktu

Unikatowy identyfikator

Numer seryjny

Dedykowana pamięć F-RAM 256-bajtowa specjalnego sektora

Dedykowany specjalny sektor zapisu i odczytu

Zawartość pamięci może trwać do 3 standardowych cykli ponownego lutowania

Niski pobór mocy

Prąd aktywny 3,7 mA (typowo) przy 40 MHz.

2,7 μA (typowo) prądu w trybie czuwania

Prąd 1,1 μA (typowo) trybu głębokiego wyłączenia zasilania

Prąd trybu hibernacji 0,1 μA (typowy)

Działanie przy niskim napięciu:

Cy15V102QN: VDD = 1,71 V do 1,89 V.

Cy15B102QN: VDD = 1,8 V do 3,6 V.

Temperatura pracy w motoryzacji: Od -40°C do +125°C.

Zgodność z AEC-Q100 stopnia 1

Pakiet 8-stykowych małych obudów układów scalonych (SOIC)

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.