Pamięć FRAM 256kbit FM25V02A-DG SPI 8-pinowy DFN

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tuba po 81 sztuk/i)*

2 473,659 zł

(bez VAT)

3 042,603 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 14 grudnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
81 - 8130,539 zł2 473,66 zł
162 - 24327,943 zł2 263,38 zł
324 - 48627,241 zł2 206,52 zł
567 - 97226,508 zł2 147,15 zł
1053 +25,837 zł2 092,80 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
188-5418
Nr części producenta:
FM25V02A-DG
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

256kbit

Organizacja

32K x 8 bitów

Typ złącza

SPI

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

16ns

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Typ opakowania

DFN

Liczba styków

8

Wymiary

4.5 x 4 x 0.75mm

Długość

4.5mm

Maksymalne robocze napięcie zasilania

3,6 V

Szerokość

4mm

Wysokość

0.75mm

Maksymalna temperatura robocza

+85°C

Liczba słów

32k

Minimalne robocze napięcie zasilania

2 V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Liczba bitów w słowie

8bit

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM
Duża szybkość zapisu
Wysoka wytrzymałość
Niski pobór mocy

.



Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki