Infineon FRAM 256 kB FM25V02A-DG SPI 8-pinowy DFN

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*

64,89 zł

(bez VAT)

79,814 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 24 sierpnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
2 - 832,445 zł64,89 zł
10 - 1825,00 zł50,00 zł
20 - 9824,345 zł48,69 zł
100 - 49823,715 zł47,43 zł
500 +23,175 zł46,35 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
124-2986
Nr części producenta:
FM25V02A-DG
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ produktu

FRAM

Rozmiar pamięci

256kB

Typ złącza

SPI

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

16ns

Maksymalna częstotliwość zegara

40MHz

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

DFN

Liczba styków

8

Długość

4.5mm

Wysokość

0.75mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Liczba słów

32k

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Minimalne napięcie zasilania

2V

Maksymalne napięcie zasilania

3.6V

Liczba bitów w słowie

8

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM

Duża szybkość zapisu

Wysoka wytrzymałość

Niski pobór mocy

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki