Infineon FRAM 64 kB FM25CL64B-DG SPI 8-pinowy DFN

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtowe

Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*

41,58 zł

(bez VAT)

51,14 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • 166 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
2 - 820,79 zł41,58 zł
10 - 4818,71 zł37,42 zł
50 +17,50 zł35,00 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
125-4221
Nr części producenta:
FM25CL64B-DG
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

64kB

Typ produktu

FRAM

Organizacja

8 K x 8 bitów

Typ złącza

SPI

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

20ns

Maksymalna częstotliwość zegara

20MHz

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

DFN

Liczba styków

8

Normy/Zatwierdzenia

No

Długość

4.5mm

Wysokość

0.75mm

Szerokość

4mm

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Liczba bitów w słowie

8

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalne napięcie zasilania

3.65V

Minimalne napięcie zasilania

2.7V

Norma motoryzacyjna

Nie

Liczba słów

8K

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM

Duża szybkość zapisu

Wysoka wytrzymałość

Niski pobór mocy

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.