Infineon FRAM 64 kB FM25CL64B-DG SPI 8-pinowy DFN

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*

25,92 zł

(bez VAT)

31,88 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Dodatkowe 344 szt. dostępne od 04 maja 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
2 - 812,96 zł25,92 zł
10 - 4811,23 zł22,46 zł
50 - 9810,915 zł21,83 zł
100 - 4989,765 zł19,53 zł
500 +9,34 zł18,68 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
125-4221
Nr części producenta:
FM25CL64B-DG
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

64kB

Typ produktu

FRAM

Typ złącza

SPI

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

20ns

Maksymalna częstotliwość zegara

20MHz

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

DFN

Liczba styków

8

Długość

4.5mm

Wysokość

0.75mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Norma motoryzacyjna

Nie

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Minimalne napięcie zasilania

2.7V

Maksymalne napięcie zasilania

3.65V

Liczba bitów w słowie

8

Liczba słów

8K

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM

Duża szybkość zapisu

Wysoka wytrzymałość

Niski pobór mocy

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki