Pamięć FRAM 64kbit FM25CL64B-DG SPI 8-pinowy DFN

Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM
Duża szybkość zapisu
Wysoka wytrzymałość
Niski pobór mocy

64-kilobitowa ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym (F-RAM), logicznie zorganizowana w 8K x 8
100 bilionów (1014) odczytu/zapisu
Przechowywanie danych przez 151 lata
Funkcja NOpóźnienie™ zapisuje
Advanced o wysokiej niezawodności proces ferroelektryczny
Bardzo szybki interfejs szeregowy (SPI)
Częstotliwość do 20 MHz.
Bezpośrednia wymiana sprzętu dla szeregowej pamięci flash i EEPROM
Obsługa trybu SPI 0 (0, 0) i trybu 3 (1, 1)
Zaawansowany system ochrony przed zapisem
Zabezpieczenie sprzętowe z użyciem styku Write Protect (WP)
Ochrona oprogramowania przy użyciu instrukcji Write Disable
Ochrona bloku oprogramowania dla macierzy 1/4, 1/2 lub całej
Niski pobór mocy
200 μA prądu aktywnego przy 1 MHz.
3 μA (standard) prądu w trybie gotowości
Działanie przy niskim napięciu: VDD = 2,7 V do 3,65 V.
Temperatura przemysłowa: -40 °C do +85 °C.
Opakowania
Pakiet 8-stykowego układu scalonego o małej konturze (SOIC)
Pakiet 8-stykowych cienkich, podwójnych przewodów bez odprowadzeń (DFN)

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)

Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.