SRAM 16Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 1M słów x 16 bitów, 2M słów x 8 bitów TSOP

Niedostępny
Wkrótce artykuł zostanie wycofany z oferty
Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
126-6969
Nr części producenta:
R1LV1616HSA-4SI#B1
Producent:
Renesas Electronics
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Renesas Electronics

Rozmiar pamięci

16Mbit

Organizacja

1M słów x 16 bitów, 2M słów x 8 bitów

Liczba słów

1M, 2M

Liczba bitów w słowie

8 bit, 16 bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

45ns

Szerokość magistrali adresowej

19 bit, 20 bit

Niski pobór energii

Tak

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Typ opakowania

TSOP

Liczba styków

48

Wymiary

18.5 x 12.1 x 1.05mm

Maksymalne robocze napięcie zasilania

3,6 V

Wysokość

1.05mm

Minimalne robocze napięcie zasilania

2,7 V

Szerokość

12.1mm

Maksymalna temperatura robocza

+85°C

Długość

18.5mm

Minimalna temperatura robocza

-40°C

SRAM o niskim poborze mocy, seria R1LV, Renesas Electronics


Zaawansowane statyczne moduły pamięci RAM niskiego napięcia serii R1LV są odpowiednie do zastosowań w pamięci, gdzie ważne są proste połączenia, praca na bateriach i Advanced Battery Backup.

Jedno źródło zasilania od 2,7 V do 3,6 V
Mały prąd gotowości
Brak zegarów, nie jest wymagane odświeżanie
Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL
Wyjścia trzystanowe: Lub-tie

.



SRAM (Static Random Access Memory)

Powiązane linki