Pamięć SRAM 4Mbit 512k x 8

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*

61,74 zł

(bez VAT)

75,94 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 07 kwietnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
2 - 1830,87 zł61,74 zł
20 - 4825,54 zł51,08 zł
50 - 9824,865 zł49,73 zł
100 - 19824,21 zł48,42 zł
200 +23,65 zł47,30 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
182-3386
Nr części producenta:
CY7C1049GN-10VXI
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

4Mbit

Organizacja

512k x 8

Liczba słów

512k

Liczba bitów w słowie

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

10ns

Kraj pochodzenia:
US
Cy7C1049GN to wysokowydajne, statyczne urządzenie pamięci RAM CMOS o pojemności 512K słów na 8 bitów. Zapis danych odbywa się poprzez asertowanie wejść Włącz obsługę układu (CE) i Włącz zapis (WE) NISKI, przy jednoczesnym dostarczaniu danych na temat wejścia I/O0 przez I/O7 i adresu na A0 przez styki A18. Odczyty danych są wykonywane przez sygnały wejściowe uaktywniające układy robocze (CE) i Output Enable (OE) oraz zapewniające wymagany adres w liniach adresowych. Dane odczytu są dostępne w liniach I/O (I/O0 przez I/O7). Wszystkie wejścia/wyjścia (I/O0 przez I/O7) są umieszczane w stanie wysokiej impedancji w następujących zdarzeniach: Urządzenie jest odłączone (CE HIGH) Sygnał sterujący jest wyłączony.

Duża szybkość transmisji
TAA = 10 ns
Niskie natężenie prądu aktywnego i rezerwowego
Prąd aktywny: ICC = 38 mA typowy
Prąd w trybie gotowości: IsB2 = 6 mA typowy
Zakres napięcia roboczego: 1,65 V do 2,2 V, 2,2 V do 3,6 V, oraz
4,5 V do 5,5 V.
Przechowywanie danych 1,0 V.
Wejścia i wyjścia kompatybilne z TTL
Bezołowiowy 36-pinowy OJ i 44-pinowy zestaw TSOP II.

.


Powiązane linki