Pamięć SRAM 4Mbit 512k x 8
- Nr art. RS:
- 182-3386
- Nr części producenta:
- CY7C1049GN-10VXI
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*
61,74 zł
(bez VAT)
75,94 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 07 kwietnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 30,87 zł | 61,74 zł |
| 20 - 48 | 25,54 zł | 51,08 zł |
| 50 - 98 | 24,865 zł | 49,73 zł |
| 100 - 198 | 24,21 zł | 48,42 zł |
| 200 + | 23,65 zł | 47,30 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 182-3386
- Nr części producenta:
- CY7C1049GN-10VXI
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Rozmiar pamięci | 4Mbit | |
| Organizacja | 512k x 8 | |
| Liczba słów | 512k | |
| Liczba bitów w słowie | 8bit | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 10ns | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Rozmiar pamięci 4Mbit | ||
Organizacja 512k x 8 | ||
Liczba słów 512k | ||
Liczba bitów w słowie 8bit | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 10ns | ||
- Kraj pochodzenia:
- US
Cy7C1049GN to wysokowydajne, statyczne urządzenie pamięci RAM CMOS o pojemności 512K słów na 8 bitów. Zapis danych odbywa się poprzez asertowanie wejść Włącz obsługę układu (CE) i Włącz zapis (WE) NISKI, przy jednoczesnym dostarczaniu danych na temat wejścia I/O0 przez I/O7 i adresu na A0 przez styki A18. Odczyty danych są wykonywane przez sygnały wejściowe uaktywniające układy robocze (CE) i Output Enable (OE) oraz zapewniające wymagany adres w liniach adresowych. Dane odczytu są dostępne w liniach I/O (I/O0 przez I/O7). Wszystkie wejścia/wyjścia (I/O0 przez I/O7) są umieszczane w stanie wysokiej impedancji w następujących zdarzeniach: Urządzenie jest odłączone (CE HIGH) Sygnał sterujący jest wyłączony.
Duża szybkość transmisji
TAA = 10 ns
Niskie natężenie prądu aktywnego i rezerwowego
Prąd aktywny: ICC = 38 mA typowy
Prąd w trybie gotowości: IsB2 = 6 mA typowy
Zakres napięcia roboczego: 1,65 V do 2,2 V, 2,2 V do 3,6 V, oraz
4,5 V do 5,5 V.
Przechowywanie danych 1,0 V.
Wejścia i wyjścia kompatybilne z TTL
Bezołowiowy 36-pinowy OJ i 44-pinowy zestaw TSOP II.
TAA = 10 ns
Niskie natężenie prądu aktywnego i rezerwowego
Prąd aktywny: ICC = 38 mA typowy
Prąd w trybie gotowości: IsB2 = 6 mA typowy
Zakres napięcia roboczego: 1,65 V do 2,2 V, 2,2 V do 3,6 V, oraz
4,5 V do 5,5 V.
Przechowywanie danych 1,0 V.
Wejścia i wyjścia kompatybilne z TTL
Bezołowiowy 36-pinowy OJ i 44-pinowy zestaw TSOP II.
.
Powiązane linki
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 36 -pinowy 512k x 16 bitów SOJ 100MHz
- SRAM 4Mbit 512K x 8
- Pamięć SRAM 4Mbit 256k x 16
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512K x 8 bitów TSOP 1MHz
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512K x 8 bitów SOP 1MHz
- SRAM 4Mbit 512 K x 8
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bitów SOIC 1MHz5 V do 5,5 V
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bit SOIC 1MHz5 V do 5,5 V
