Infineon SRAM 4 MB CY7C1049GN-10VXI Powierzchnia 36-pinowy 512k x 16 Bit SOJ
- Nr art. RS:
- 182-3386
- Nr części producenta:
- CY7C1049GN-10VXI
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*
35,64 zł
(bez VAT)
43,84 zł
(z VAT)
Dodaj 18 sztuk/i, aby uzyskać bezpłatną dostawę
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 24 sierpnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 17,82 zł | 35,64 zł |
| 20 - 48 | 14,74 zł | 29,48 zł |
| 50 - 98 | 14,355 zł | 28,71 zł |
| 100 - 198 | 13,995 zł | 27,99 zł |
| 200 + | 13,635 zł | 27,27 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 182-3386
- Nr części producenta:
- CY7C1049GN-10VXI
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Rozmiar pamięci | 4MB | |
| Organizacja | 512k x 16 Bit | |
| Liczba słów | 512K | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 10ns | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczny | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | SOJ | |
| Liczba styków | 36 | |
| Długość | 0.93mm | |
| Szerokość | 0.4 mm | |
| Wysokość | 0.12mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Typ produktu SRAM | ||
Rozmiar pamięci 4MB | ||
Organizacja 512k x 16 Bit | ||
Liczba słów 512K | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 10ns | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczny | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy SOJ | ||
Liczba styków 36 | ||
Długość 0.93mm | ||
Szerokość 0.4 mm | ||
Wysokość 0.12mm | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
- Kraj pochodzenia:
- US
Model CY7C1049GN to wysokowydajne, szybkie, statyczne urządzenie pamięci RAM CMOS zorganizowane w formacie 512 tys. słów przez 8 bitów. Zapisy danych są wykonywane poprzez potwierdzenie wejść Chip Enable (CE) i Write Enable (WE) LOW, przy jednoczesnym dostarczaniu danych na stykach I/O0 przez I/O7 i adresu na stykach A0 przez A18. Odczyty danych są wykonywane poprzez potwierdzenie wejść Chip Enable (CE) i Output Enable (OE) LOW i podanie wymaganego adresu w liniach adresowych. Dane odczytu są dostępne na liniach wejścia/wyjścia (wejście/wyjście 0 do wejścia/wyjścia 7). Wszystkie wejścia/wyjścia (wejścia/wyjścia od I/O0 do I/O7) są umieszczane w stanie o wysokiej impedancji podczas następujących zdarzeń: Urządzenie jest wyłączone (CE HIGH) Sygnał sterujący OE jest wyłączony.
Wysoka prędkość
tAA = 10 ns
Niskie prądy aktywne i w trybie gotowości
Prąd aktywny: ICC = typowo 38 mA
Prąd w trybie gotowości: ISB2 = typowo 6 mA
Zakres napięcia roboczego: od 1,65 V do 2,2 V, od 2,2 V do 3,6 V oraz
Od 4,5 V do 5,5 V
Przechowywanie danych 1,0 V
Wejścia i wyjścia zgodne z TTL
36-stykowe obudowy SOJ i 44-stykowe obudowy TSOP II bez zawartości ołowiu
Powiązane linki
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 36 -pinowy 512k x 16 bitów SOJ 100MHz
- Pamięć SRAM 4Mbit 256k x 16
- SRAM 4Mbit 512K x 8
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512K x 8 bitów TSOP 1MHz
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512K x 8 bitów SOP 1MHz
- SRAM 4Mbit 512 K x 8
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bitów SOIC 1MHz5 V do 5,5 V
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bit SOIC 1MHz5 V do 5,5 V
