Renesas Electronics SRAM 4 MB 71V416L10PHGI Powierzchnia 48-pinowy 256k x 16 SOJ-44

Zobacz wszystkie SRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

49,22 zł

(bez VAT)

60,54 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 29 czerwca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 - 949,22 zł
10 - 2445,54 zł
25 - 4944,60 zł
50 - 7444,42 zł
75 +43,47 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
262-8977
Nr części producenta:
71V416L10PHGI
Producent:
Renesas Electronics
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Renesas Electronics

Rozmiar pamięci

4MB

Typ produktu

SRAM

Organizacja

256k x 16

Liczba słów

256K

Liczba bitów w słowie

16

Maksymalny czas dostępu swobodnego

15ns

Typ pomiaru czasu

Asynchroniczny

Minimalne napięcie zasilania

3.3V

Typ montażu

Powierzchnia

Maksymalne napięcie zasilania

3.3V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Typ obudowy

SOJ-44

Liczba styków

48

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Szerokość

10.16 mm

Długość

18.41mm

Seria

IDT71V416

Wysokość

1mm

Normy/Zatwierdzenia

JEDEC Center Power/GND pinout

Norma motoryzacyjna

Nie

Prąd zasilania

180mA

Kraj pochodzenia:
TW
Pamięć SRAM CMOS firmy Renesas Electronics ma rozmiar 256 K x 16. Wszystkie dwukierunkowe wejścia i wyjścia pamięci SRAM są zgodne z LVTTL i działają z pojedynczego zasilania 3,3 V. Wykorzystuje się w pełni statyczne obwody asynchroniczne, które nie wymagają zegarów ani odświeżania do pracy.

JEDEC centralne zasilanie / GND pinout dla redukcji hałasu.

Jeden wybór układu i jeden styk aktywacji wyjścia

Bezpośrednie dwukierunkowe wejścia i wyjścia danych

Niskie zużycie energii dzięki usunięciu wyboru układu

Włączanie styków górnego i dolnego bajtu

Pojedyncze zasilanie 3,3 V

Powiązane linki