Renesas Electronics SRAM 4 MB Powierzchnia 48-pinowy 256k x 16 SOJ-44

Zobacz wszystkie SRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tacka po 135 sztuk/i)*

5 497,20 zł

(bez VAT)

6 762,15 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 30 czerwca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Tackę*
135 - 13540,72 zł5 497,20 zł
270 +40,666 zł5 489,91 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
262-8976
Nr części producenta:
71V416L10PHGI
Producent:
Renesas Electronics
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Renesas Electronics

Typ produktu

SRAM

Rozmiar pamięci

4MB

Organizacja

256k x 16

Liczba słów

256K

Liczba bitów w słowie

16

Maksymalny czas dostępu swobodnego

15ns

Minimalne napięcie zasilania

3.3V

Typ pomiaru czasu

Asynchroniczny

Maksymalne napięcie zasilania

3.3V

Typ montażu

Powierzchnia

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Typ obudowy

SOJ-44

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Liczba styków

48

Szerokość

10.16 mm

Wysokość

1mm

Normy/Zatwierdzenia

JEDEC Center Power/GND pinout

Seria

IDT71V416

Długość

18.41mm

Norma motoryzacyjna

Nie

Prąd zasilania

180mA

Kraj pochodzenia:
TW
Pamięć SRAM CMOS firmy Renesas Electronics ma rozmiar 256 K x 16. Wszystkie dwukierunkowe wejścia i wyjścia pamięci SRAM są zgodne z LVTTL i działają z pojedynczego zasilania 3,3 V. Wykorzystuje się w pełni statyczne obwody asynchroniczne, które nie wymagają zegarów ani odświeżania do pracy.

JEDEC centralne zasilanie / GND pinout dla redukcji hałasu.

Jeden wybór układu i jeden styk aktywacji wyjścia

Bezpośrednie dwukierunkowe wejścia i wyjścia danych

Niskie zużycie energii dzięki usunięciu wyboru układu

Włączanie styków górnego i dolnego bajtu

Pojedyncze zasilanie 3,3 V

Powiązane linki

Recently viewed