Renesas Electronics SRAM 1 MB Powierzchnia 44-pinowy 256k x 16 SOJ-44

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tacka po 135 sztuk/i)*

4 491,315 zł

(bez VAT)

5 524,335 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Informacje o zapasach są obecnie niedostępne
Produkty
Za jednostkę
Za Tackę*
135 - 13533,269 zł4 491,32 zł
270 +32,487 zł4 385,75 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
263-7916
Nr części producenta:
71V416S12PHG
Producent:
Renesas Electronics
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Renesas Electronics

Typ produktu

SRAM

Rozmiar pamięci

1MB

Organizacja

256k x 16

Liczba słów

256K

Liczba bitów w słowie

16

Maksymalny czas dostępu swobodnego

12ns

Typ pomiaru czasu

Asynchroniczny

Minimalne napięcie zasilania

3V

Maksymalne napięcie zasilania

3.6V

Typ montażu

Powierzchnia

Minimalna temperatura robocza

0°C

Typ obudowy

SOJ-44

Liczba styków

44

Maksymalna temperatura robocza

70°C

Seria

IDT71V416

Długość

18.41mm

Normy/Zatwierdzenia

JEDEC

Wysokość

1mm

Szerokość

10.16 mm

Norma motoryzacyjna

Nie

Prąd zasilania

180mA

Kraj pochodzenia:
TW
Statyczna pamięć RAM CMOS 6 firmy Renesas Electronics to szybka statyczna pamięć RAM zorganizowana w rozdzielczości 64 K x 16. Jest produkowany w technologii CMOS o wysokiej wydajności i niezawodności. Ta najnowocześniejsza technologia w połączeniu z innowacyjnymi technikami projektowania obwodów stanowi ekonomiczne rozwiązanie do szybkich potrzeb w zakresie pamięci. Wszystkie dwukierunkowe wejścia i wyjścia pamięci RAM są zgodne z TTL i działają z pojedynczego zasilania 5 V. Wykorzystuje się w pełni statyczne obwody asynchroniczne, które nie wymagają zegarów ani odświeżania do pracy.

Jeden wybór układu i jeden styk aktywacji wyjścia

Dwukierunkowe wejścia i wyjścia danych bezpośrednio zgodne z TTL

Niskie zużycie energii dzięki usunięciu wyboru układu

Włączanie styków górnego i dolnego bajtu

Powiązane linki

Recently viewed