SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów SOJ 1MHz
- Nr art. RS:
- 901-5745
- Nr części producenta:
- R1RP0416DGE-2LR#B0
- Producent:
- Renesas Electronics
Niedostępny
Wkrótce artykuł zostanie wycofany z oferty
- Nr art. RS:
- 901-5745
- Nr części producenta:
- R1RP0416DGE-2LR#B0
- Producent:
- Renesas Electronics
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Renesas Electronics | |
| Rozmiar pamięci | 4Mbit | |
| Organizacja | 256K x 16 bitów | |
| Liczba słów | 256K | |
| Liczba bitów w słowie | 16bit | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 12ns | |
| Szerokość magistrali adresowej | 16bit | |
| Częstotliwość zegara | 1MHz | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Typ opakowania | SOJ | |
| Liczba styków | 44 | |
| Wymiary | 28.7 x 10.29 x 2.75mm | |
| Wysokość | 2.75mm | |
| Maksymalne robocze napięcie zasilania | 5,5 V | |
| Minimalna temperatura robocza | 0°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | +70°C | |
| Szerokość | 10.29mm | |
| Minimalne robocze napięcie zasilania | 4,5 V | |
| Długość | 28.7mm | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Renesas Electronics | ||
Rozmiar pamięci 4Mbit | ||
Organizacja 256K x 16 bitów | ||
Liczba słów 256K | ||
Liczba bitów w słowie 16bit | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 12ns | ||
Szerokość magistrali adresowej 16bit | ||
Częstotliwość zegara 1MHz | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Typ opakowania SOJ | ||
Liczba styków 44 | ||
Wymiary 28.7 x 10.29 x 2.75mm | ||
Wysokość 2.75mm | ||
Maksymalne robocze napięcie zasilania 5,5 V | ||
Minimalna temperatura robocza 0°C | ||
Maksymalna temperatura robocza +70°C | ||
Szerokość 10.29mm | ||
Minimalne robocze napięcie zasilania 4,5 V | ||
Długość 28.7mm | ||
SRAM niskiego poboru mocy, seria R1RP, Renesas Electronics
Seria R1RP to statyczna pamięć RAM najbardziej odpowiednia dla aplikacji, która wymaga dużej szybkości, dużej gęstości pamięci i konfiguracji szerokości bitu, takich jak pamięć podręczna i pamięć buforowa w systemach.
Pojedyncze zasilanie 5,0 V.
Czas dostępu: 10 ns/12 ns
Brak zegarów, nie jest wymagane odświeżanie
Równy czas dostępu i cyklu
Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL
Czas dostępu: 10 ns/12 ns
Brak zegarów, nie jest wymagane odświeżanie
Równy czas dostępu i cyklu
Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL
.
SRAM (Static Random Access Memory)
Powiązane linki
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów SOJ 1MHz
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 36 -pinowy 512K x 8 bitów SOJ 1MHz
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów TSOP 1MHz
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256k x 16 bitów SOJ, 3 do 3.6 V.
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów TSOP 1MHz
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256k x 16 bitów SOJ6 V
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256k x 16 bitów SOJ 100MHz5 V do 5,5 V
- Pamięć SRAM 2Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 256K x 8 bitów TSOP 1MHz
