SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 36 -pinowy 512K x 8 bitów SOJ 1MHz

Niedostępny
Wkrótce artykuł zostanie wycofany z oferty
Nr art. RS:
901-5764
Nr części producenta:
R1RW0408DGE-2LR#B0
Producent:
Renesas Electronics
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Renesas Electronics

Rozmiar pamięci

4Mbit

Organizacja

512K x 8 bitów

Liczba słów

512K

Liczba bitów w słowie

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

12ns

Szerokość magistrali adresowej

8bit

Częstotliwość zegara

1MHz

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Typ opakowania

SOJ

Liczba styków

36

Wymiary

23.62 x 10.29 x 3.05mm

Maksymalne robocze napięcie zasilania

3,6 V

Wysokość

3.05mm

Minimalna temperatura robocza

0°C

Maksymalna temperatura robocza

+70°C

Minimalne robocze napięcie zasilania

3 V

Długość

23.62mm

Szerokość

10.29mm

Kraj pochodzenia:
CN

SRAM, seria R1RW, Renesas Electronics o niskim poborze mocy


Seria R1RW to statyczna pamięć RAM najbardziej odpowiednia dla aplikacji, która wymaga dużej szybkości, dużej gęstości pamięci i konfiguracji szerokiego rozmiaru bitów, takich jak pamięć podręczna i pamięć buforowa w systemie.

Pojedyncze źródło zasilania 3,3 V
Czas dostępu: 10 ns/12 ns
Nie jest wymagany zegar ani stroboskop synchronizacji
Równy czas dostępu i cyklu
Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL

.



SRAM (Static Random Access Memory)

Powiązane linki