Moduł IGBT Ic 400 A Uce 1200 V 2 SEMITRANS3 Półmostek kanał: N

Zobacz wszystkie Tranzystory IGBT
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

3 411,41 zł

(bez VAT)

4 196,03 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 108 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 - 13 411,41 zł
2 - 43 240,81 zł
5 +2 828,03 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
125-1115
Nr części producenta:
SKM400GB125D
Producent:
Semikron Danfoss
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Semikron Danfoss

Maksymalny ciągły prąd kolektora

400 A

Maksymalne napięcie kolektor-emiter

1200 V

Maksymalne napięcie bramka-emiter

20V

Liczba tranzystorów

2

Typ opakowania

SEMITRANS3

Konfiguracja

Podwójna

Typ montażu

Montaż na śrubie

Typ kanału

N

Liczba styków

7

Szybkość przełączania

12kHz

Konfiguracja tranzystora

Półmostek

Wymiary

106.4 x 61.4 x 30.5mm

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalna temperatura robocza

+150°C

Kraj pochodzenia:
SK

Dwa moduły IGBT


Seria modułów SEMITOP® IGBT firmy Semikron, zawierająca dwa połączone szeregowo (półmostek) urządzenia IGBT. Moduły są dostępne w szerokim zakresie napięć i prądów znamionowych i są odpowiednie do różnych zastosowań przełączania zasilania, takich jak napędy silników przemienników prądu przemiennego i zasilacze bezprzerwowe.

Kompaktowy zestaw SEMITOP®
Nadaje się do przełączania częstotliwości do 12 kHz
Izolowana miedziana płytka podstawowa oparta na technologii Direct Bond Copper

.



Moduły IGBT, Semikron


Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.

Powiązane linki