Moduł IGBT Ic 618 A Uce 1200 V SEMITRANS3 Pojedynczy kanał: N

Ilustracja przedstawia przykład produktu

Zobacz wszystkie Tranzystory IGBT
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

1 207,80 zł

(bez VAT)

1 485,59 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • 12 szt. dostępne od 08 kwietnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 - 91 207,80 zł
10 - 191 148,63 zł
20 - 491 090,62 zł
50 - 2491 036,31 zł
250 +985,55 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
687-4989
Nr części producenta:
SKM400GAL12E4
Producent:
Semikron Danfoss
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Semikron Danfoss

Maksymalny ciągły prąd kolektora

618 A

Maksymalne napięcie kolektor-emiter

1200 V

Maksymalne napięcie bramka-emiter

±20V

Konfiguracja

Pojedyncza

Typ opakowania

SEMITRANS3

Typ montażu

Montaż na panelu

Typ kanału

N

Liczba styków

5

Konfiguracja tranzystora

Pojedynczy

Wymiary

106.4 x 61.4 x 30.5mm

Maksymalna temperatura robocza

+175 °C

Minimalna temperatura robocza

-40 °C

Pojedyncze moduły IGBT


Semikron oferuje moduły IGBT (Transtranzystor bipolarny) w SEMITRANS, SEMIOX i SEMITOP w różnych topologiach, prądach i wartościach napięcia.

.



Moduły IGBT, Semikron


Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.

Powiązane linki