MOSFET N-kanałowy 22 A TO-247 650 V Pojedynczy 190 W 160 miliomów

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tuba po 30 sztuk/i)*

385,56 zł

(bez VAT)

474,24 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 18 maja 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
30 - 3012,852 zł385,56 zł
60 - 12010,281 zł308,43 zł
150 +9,254 zł277,62 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
168-5897
Nr części producenta:
STW28N60DM2
Producent:
STMicroelectronics
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

STMicroelectronics

Typ kanału

N

Maksymalny ciągły prąd drenu

22 A

Maksymalne napięcie dren-źródło

650 V

Typ opakowania

TO-247

Seria

MDmesh DM2

Typ montażu

Otwór przezierny

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło

160 miliomów

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Maksymalne napięcie progowe VGS

5V

Minimalne napięcie progowe VGS

3V

Maksymalna strata mocy

190 W

Konfiguracja tranzystora

Pojedynczy

Maksymalne napięcie bramka-źródło

-25 V, +25 V

Maksymalna temperatura robocza

+150°C

Materiał tranzystora

Si

Długość

15.75mm

Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs

39 nC przy 10 V

Szerokość

5.15mm

Liczba elementów na układ

1

Minimalna temperatura robocza

-55°C

Wysokość

20.15mm

Napięcie przewodzenia diody

1.6V

Kraj pochodzenia:
CN

N-Channel z serii MDmesh DM2, STMicroelectronics


Tranzystory MOSFET MDmesh DM2 oferują niski poziom RDS(on), a dzięki udoskonalonemu czasowi przywracania diod zwiększającemu wydajność, seria ta jest zoptymalizowana pod kątem topologii ZVS z przełączaniem fazowym i fazowym.

Wysoka wydajność dV/dt zapewnia większą niezawodność systemu
Kwalifikacja AEC-Q101

.



Tranzystory MOSFET STMicroelectronics

Powiązane linki