STMicroelectronics Tranzystor Darlingtona BDX53C 100 V 1 Otwór przelotowy TO-220 NPN 8 A HFE 750 3-pinowy

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtowe

Suma częściowa (1 tuba po 50 sztuk/i)*

127,70 zł

(bez VAT)

157,05 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 950 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
  • Dodatkowe 13 150 szt. dostępne od 08 października 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
50 - 4502,554 zł127,70 zł
500 - 12002,296 zł114,80 zł
1250 +1,883 zł94,15 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
102-4094
Nr części producenta:
BDX53C
Producent:
STMicroelectronics
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

STMicroelectronics

Typ produktu

Tranzystor Darlingtona

Maksymalny ciągły prąd kolektora Ic

8A

Maksymalne napięcie emitera kolektora Vceo

100V

Typ obudowy

TO-220

Typ montażu

Otwór przelotowy

Liczba styków

3

Liczba elementów na układ

1

Minimalne wzmocnienie prądu DC hFE

750

Minimalna temperatura robocza

-65°C

Maksymalne napięcie podstawy kolektora VCBO

100V

Maksymalna strata mocy Pd

60W

Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter VceSAT

2V

Polaryzacja tranzystora

NPN

Maksymalne napięcie podstawy emitera VEBO

5V

Maksymalna temperatura robocza

150°C

Wysokość

9.15mm

Długość

10.4mm

Seria

BDX53C

Normy/Zatwierdzenia

No

Maksymalny prąd odcięcia kolektora

0.2mA

Norma motoryzacyjna

Nie

Tranzystory NPN Darlington, STMicroelectronics


Tranzystory bipolarne, STMicroelectronics


Szeroki asortyment tranzystorów bipolarnych NPN i PNP firmy STMicroelectronics, w tym urządzeń uniwersalnych, Darlington, zasilania i wysokiego napięcia w obudowach SMT i otworów przepływowych.

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.