STMicroelectronics Tranzystor Darlingtona BDX53B 80 V 1 Otwór przelotowy TO-220 NPN 8 A HFE 750 3-pinowy
- Nr art. RS:
- 102-4101
- Nr części producenta:
- BDX53B
- Producent:
- STMicroelectronics
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtoweSuma częściowa (1 tuba po 50 sztuk/i)*
153,10 zł
(bez VAT)
188,30 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- 850 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tubę* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 3,062 zł | 153,10 zł |
| 500 - 1200 | 2,753 zł | 137,65 zł |
| 1250 + | 2,256 zł | 112,80 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 102-4101
- Nr części producenta:
- BDX53B
- Producent:
- STMicroelectronics
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Tranzystor Darlingtona | |
| Maksymalny ciągły prąd kolektora Ic | 8A | |
| Maksymalne napięcie emitera kolektora Vceo | 80V | |
| Typ obudowy | TO-220 | |
| Typ montażu | Otwór przelotowy | |
| Liczba styków | 3 | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Minimalne wzmocnienie prądu DC hFE | 750 | |
| Maksymalne napięcie podstawy emitera VEBO | 5V | |
| Minimalna temperatura robocza | -65°C | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 60W | |
| Polaryzacja tranzystora | NPN | |
| Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter VceSAT | 2V | |
| Maksymalne napięcie podstawy kolektora VCBO | 80V | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Wysokość | 9.15mm | |
| Długość | 10.4mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Seria | BDX53B | |
| Maksymalny prąd odcięcia kolektora | 0.2mA | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Tranzystor Darlingtona | ||
Maksymalny ciągły prąd kolektora Ic 8A | ||
Maksymalne napięcie emitera kolektora Vceo 80V | ||
Typ obudowy TO-220 | ||
Typ montażu Otwór przelotowy | ||
Liczba styków 3 | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Minimalne wzmocnienie prądu DC hFE 750 | ||
Maksymalne napięcie podstawy emitera VEBO 5V | ||
Minimalna temperatura robocza -65°C | ||
Maksymalna strata mocy Pd 60W | ||
Polaryzacja tranzystora NPN | ||
Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter VceSAT 2V | ||
Maksymalne napięcie podstawy kolektora VCBO 80V | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Wysokość 9.15mm | ||
Długość 10.4mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Seria BDX53B | ||
Maksymalny prąd odcięcia kolektora 0.2mA | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Tranzystory NPN Darlington, STMicroelectronics
Tranzystory bipolarne, STMicroelectronics
Szeroki asortyment tranzystorów bipolarnych NPN i PNP firmy STMicroelectronics, w tym urządzeń uniwersalnych, Darlington, zasilania i wysokiego napięcia w obudowach SMT i otworów przepływowych.
Powiązane linki
- STMicroelectronics Tranzystor Darlingtona 80 V 1 Otwór przelotowy TO-220 NPN 8 A HFE 750 3-pinowy
- STMicroelectronics Tranzystor Darlingtona 100 V 1 Otwór przelotowy TO-220 NPN 8 A HFE 750 3-pinowy
- STMicroelectronics Tranzystor Darlingtona 100 V 1 Otwór przelotowy TO-220 NPN 10 A HFE 750 3-pinowy
- STMicroelectronics Tranzystor Darlingtona BDX33C 100 V 1 Otwór przelotowy TO-220 NPN 10 A HFE 750 3-pinowy
- STMicroelectronics Tranzystor Darlingtona BDX53C 100 V 1 Otwór przelotowy TO-220 NPN 8 A HFE 750 3-pinowy
- STMicroelectronics Tranzystor Darlingtona 60 V 1 TO-220 NPN + NPN 5 A HFE 1000 3-pinowy
- STMicroelectronics Tranzystor Darlingtona TIP120 60 V 1 TO-220 NPN + NPN 5 A HFE 1000 3-pinowy
- STMicroelectronics Tranzystor Darlingtona 80 V 1 Otwór przelotowy SOT-32 NPN 4 A HFE 750 3-pinowy