onsemi Translator poziomu napięcia 20-pinowy SOIC Odbiornik liniowy, Bufor, TTL, Sterownik liniowy układy: 1

Zobacz wszystkie Układy translatora
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtowe

Suma częściowa (1 tuba po 38 sztuk/i)*

121,562 zł

(bez VAT)

149,53 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 38 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
38 - 1523,199 zł121,56 zł
190 - 5323,09 zł117,42 zł
570 - 11023,01 zł114,38 zł
1140 - 22422,936 zł111,57 zł
2280 +2,859 zł108,64 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
186-7310
Nr części producenta:
MC74VHCT541ADWG
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Kierunkowość

Dwukierunkowe

Seria układów logicznych

VHC

Typ produktu

Translator poziomu napięcia

Maksymalny czas opóźnienia propagacji @ CL

9ns

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

SOIC

Liczba elementów na układ

1

Liczba styków

20

Typ wyjścia

3 stany

Funkcja logiczna

Odbiornik liniowy, Bufor, TTL, Sterownik liniowy

Maksymalny prąd wyjściowy niskiego poziomu

8mA

Minimalne napięcie zasilania

4.5V

Maksymalny prąd wyjściowy wysokiego poziomu

-8mA

Maksymalne napięcie zasilania

5.5V

Translacja

TTL, CMOS

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Seria

MC74VHCT541A

Normy/Zatwierdzenia

No

Wysokość

2.4mm

Długość

12.95mm

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Duża szybkość: TPD = 5,4 ns (Typ) przy VCC = 5V.

Rozpraszanie niskiej mocy: ICC = 4 μA (maks.) przy TA = 25 C.

Wejścia kompatybilne z TTL: VIl = 0,8 V, VIH = 2,0 V.

Ochrona przed wyłączeniem zasilania Dostarczona dla wejść i wyjść

Opóźnienia propagacji z równowagą

Przeznaczony do pracy w zakresie od 4,5 V do 5,5 V.

NISKOSZUMOWY: VolP = 1,6 V (maks.)

Funkcje i kod zgodne z innymi standardowymi rodzinami logicznymi

Wydajność urządzenia Latch przekracza 300 mA

Wydajność ESD: HBM> 2000V, model maszyny> 200V.

Złożoność układu: 134 FETs lub 33.5 Równoważne bramki Gates

Dostępne są obudowy bez zawartości ołowiu

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.