SSD MTE662P M.2 1.02 TB, Wewnętrzny, Transcend TLC 85 °C -40 °C

Suma częściowa (1 sztuka)*

7 349,67 zł

(bez VAT)

9 040,09 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 25 maja 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 +7 349,67 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
240-5462
Nr części producenta:
TS1TMTE662P
Producent:
Transcend
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Transcend

Rozmiar pamięci

1.02TB

Typ produktu

SSD

Numer modelu

MTE662P

Wewnętrzne/zewnętrzne

Wewnętrzny

Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych

Nie

Wielkość

M.2

Typ NAND

TLC

Typ złącza

PCIe Gen 3.0 x4 NVMe

Samozniszczenie

Nie

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Normy/Zatwierdzenia

CE

Szerokość

22mm

Długość

80mm

Wysokość

3.88mm

Kraj pochodzenia:
TW

Dysk półprzewodnikowy Transcend, pojemność 1 TB, format M.2 - TS1TMTE662P


Ten dysk półprzewodnikowy został zaprojektowany z pojemnością 1 TB i obudową M.2, zapewniając wysokowydajne rozwiązania pamięci masowej dla wymagających aplikacji. Dzięki wymiarom 80 mm x 22 mm x 3,88 mm i lekkiej konstrukcji ważącej zaledwie 9 g, bezproblemowo pasuje do różnych urządzeń, zwiększając ich możliwości przechowywania danych i ogólną wydajność. Dysk wykorzystuje technologię NVMe PCIe Gen 3 x4, aby zapewnić imponujące prędkości transferu i wydajność.

Cechy i zalety


• Wysokie prędkości sekwencyjnego odczytu do 3400 MB/s usprawniają dostęp do danych

• Prędkość zapisu sięga do 2300 MB/s, co pozwala na szybkie przesyłanie plików

• Wbudowana pamięć podręczna DRAM zapewnia szybsze przetwarzanie danych

• Zaawansowane globalne niwelowanie zużycia zwiększa niezawodność napędu

• Niski pobór mocy maksymalizuje wydajność podczas pracy

• Inteligentna osłona zasilania chroni dane podczas przerw w zasilaniu

Zastosowania


• Idealny do systemów automatyki wymagających szybkiego dostępu do danych

• Nadaje się do środowisk gier o wysokich wymaganiach w zakresie pamięci masowej

• Wykorzystywane w elektronice do niezawodnej i szybkiej obsługi danych

• Dla mechaników wymagających solidnej integralności danych

Jakie korzyści zapewnia zastosowanie technologii 3D NAND?


Technologia 3D NAND umożliwia zwiększenie gęstości pamięci masowej poprzez pionowe układanie 96 warstw, co skutkuje lepszą wydajnością i wydajnością w porównaniu z tradycyjnymi konstrukcjami 64-warstwowymi.

W jaki sposób funkcja Intelligent Power Shield przyczynia się do bezpieczeństwa danych?


Inteligentna osłona zasilania chroni przed utratą danych podczas nieoczekiwanych awarii zasilania, zapewniając, że krytyczne informacje pozostaną nienaruszone, co jest niezbędne w aplikacjach o znaczeniu krytycznym.

W jakich zakresach temperatur może pracować to urządzenie?


Dysk obsługuje rozszerzony zakres temperatur pracy od -20°C do 75°C, dzięki czemu nadaje się do różnych warunków środowiskowych, a także szeroki zakres temperatur od -40°C do 85°C dla bardziej ekstremalnych scenariuszy.

Jaka jest wytrzymałość tego dysku półprzewodnikowego?


Wskaźnik wytrzymałości wynosi 3000 cykli programowania/kasowania, co zapewnia dłuższą żywotność przy intensywnych operacjach odczytu i zapisu, umożliwiając optymalną wydajność w czasie.

Jak typ pamięci TLC NAND wpływa na wydajność?


Zastosowanie technologii TLC NAND równoważy wydajność i pojemność pamięci masowej, zapewniając szybkie prędkości odczytu i zapisu przy jednoczesnym zachowaniu efektywności kosztowej dla potrzeb wysokiej pojemności.

Powiązane linki