SSD MTS570T M.2 AES-256 1 TB, Wewnętrzny Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych, Transcend 3D TLC 75 °C -20 °C

Nr art. RS:: 245-0006
Nr części producenta:: TS1TMTS570T
Producent:: Transcend

SSD MTS570T M.2 AES-256 1 TB, Wewnętrzny Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych, Transcend 3D TLC 75 °C -20 °C

Suma częściowa (1 sztuka)*

3 225,92 zł

(bez VAT)

3 967,88 zł

(z VAT)

DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł

Ostatni magazyn RS

Ostatnie 20 sztuk, gotowe do wysyłki z innej lokalizacji

Produkty	Za jednostkę
1 +	3 225,92 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:: 245-0006
Nr części producenta:: TS1TMTS570T
Producent:: Transcend

Specyfikacje

Informacje techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.

Zaznacz wszystkie	Atrybut	Wartość
	Marka	Transcend
	Rozmiar pamięci	1TB
	Numer modelu	MTS570T
	Typ produktu	SSD
	Typ podrzędny	SSD
	Wewnętrzne/zewnętrzne	Wewnętrzny
	Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych	Tak
	Wielkość	M.2
	Typ NAND	3D TLC
	Samozniszczenie	Nie
	Poziom szyfrowania	AES-256
	Typ złącza	SATA III
	Minimalna temperatura robocza	-20°C
	Maksymalna temperatura robocza	75°C
	Szerokość	22mm
	Wysokość	3.58mm
	Normy/Zatwierdzenia	BSMI, FCC, CE
	Długość	42mm

	Zaznacz wszystkie
	Marka Transcend
	Rozmiar pamięci 1TB
	Numer modelu MTS570T
	Typ produktu SSD
	Typ podrzędny SSD
	Wewnętrzne/zewnętrzne Wewnętrzny
	Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych Tak
	Wielkość M.2
	Typ NAND 3D TLC
	Samozniszczenie Nie
	Poziom szyfrowania AES-256
	Typ złącza SATA III
	Minimalna temperatura robocza -20°C
	Maksymalna temperatura robocza 75°C
	Szerokość 22mm
	Wysokość 3.58mm
	Normy/Zatwierdzenia BSMI, FCC, CE
	Długość 42mm

Datasheet - TS1TMTS802I

Kraj pochodzenia:: TW

Dysk półprzewodnikowy Transcend, pojemność 1 TB, format M.2 - TS1TMTS570T

Ten dysk półprzewodnikowy to wewnętrzny dysk SSD M.2 przeznaczony do wysokowydajnych obliczeń. Oferując kompaktowe wymiary 42 mm x 22 mm x 3,58 mm, wykorzystuje zaawansowaną technologię pamięci masowej 3D NAND w celu zwiększenia wydajności i trwałości, dzięki czemu nadaje się do różnych wymagających środowisk.

Cechy i zalety

• Zintegrowana technologia 3D NAND zwiększa gęstość i wydajność pamięci masowej

• Pamięć podręczna DRAM umożliwia szybszy dostęp i pobieranie danych

• Możliwość pracy w wysokich temperaturach od -40°C do 85°C

• Wytrzymałość na poziomie 3 tys. cykli programowania/kasowania zapewnia niezawodność

• Smukła obudowa M.2 jest idealna dla urządzeń o ograniczonej przestrzeni

• Zaawansowane odśmiecanie wydłuża żywotność dysku

Zastosowania

• Wykorzystywane w sterowaniu automatyką do szybkiego przetwarzania danych

• Idealny do systemów wbudowanych wymagających kompaktowych rozwiązań pamięci masowej

• Powszechnie zintegrowane z wysokowydajnymi urządzeniami obliczeniowymi

• Nadaje się do zastosowań przemysłowych wymagających wysokiej niezawodności

Jaki jest wpływ technologii 3D NAND na wydajność?

Technologia 3D NAND pozwala na pionowe układanie chipów flash, co skutkuje lepszą gęstością pamięci masowej, zwiększoną wydajnością i lepszą wydajnością w porównaniu do tradycyjnej planarnej pamięci NAND.

Jak ten dysk SSD radzi sobie w ekstremalnych temperaturach?

Został zaprojektowany do pracy w temperaturach od -40°C do 85°C, zapewniając stałą wydajność nawet w trudnych warunkach środowiskowych, dzięki czemu nadaje się do zastosowań przemysłowych.

Jakie są wartości zużycia energii w trybach pracy i uśpienia?

Dysk SSD zużywa 4,5 W podczas pracy i zmniejsza się do 1,1 W w trybie uśpienia, optymalizując efektywność energetyczną w różnych zastosowaniach.

W jaki sposób wytrzymałość na poziomie 3 tys. cykli Program/Erase może wpłynąć na użytkowanie?

Ten wskaźnik wytrzymałości zapewnia długą żywotność, dzięki czemu jest to niezawodny wybór do zastosowań wymagających częstych cykli zapisu i kasowania, takich jak rejestrowanie danych.

W jakich scenariuszach zaawansowana funkcja globalnego wyrównywania zużycia miałaby kluczowe znaczenie?

Funkcja ta jest nieoceniona w zapewnieniu równomiernego zużycia komórek pamięci, wydłużając żywotność dysku SSD w środowiskach o dużym obciążeniu zapisem, co jest powszechne w zastosowaniach przemysłowych.