SSD MTS570T-I M.2 (2242), Wewnętrzny Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych, Transcend 3D TLC 85 °C -40 °C

Suma częściowa (1 sztuka)*

4 121,87 zł

(bez VAT)

5 069,90 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Informacje o zapasach są obecnie niedostępne - Sprawdź ponownie później
Produkty
Za jednostkę
1 +4 121,87 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
262-9704
Nr części producenta:
TS1TMTS570T-I
Producent:
Transcend
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Transcend

Typ produktu

SSD

Numer modelu

MTS570T-I

Wewnętrzne/zewnętrzne

Wewnętrzny

Wielkość

M.2 (2242)

Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych

Tak

Typ NAND

3D TLC

Samozniszczenie

Nie

Typ złącza

SATA III

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Długość

42mm

Wysokość

3.58mm

Szerokość

22mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Zwolniony

Dysk półprzewodnikowy Transcend, pojemność 1 TB, format M.2 - TS1TMTS570T-I


Ten dysk półprzewodnikowy (SSD) firmy Transcend łączy w sobie kompaktową konstrukcję z solidną wydajnością. MTS570T-I to wewnętrzny dysk SSD M.2 (2242) z zaawansowaną technologią 3D NAND, oferujący pojemność 1 TB. Wymiary 42 x 22 x 3,58 mm i lekka konstrukcja o wadze zaledwie 5 g sprawiają, że jest to idealne rozwiązanie do zastosowań przemysłowych o ograniczonej przestrzeni.

Cechy i zalety


• Wykorzystuje 112-warstwową pamięć 3D TLC NAND w celu zwiększenia wydajności pamięci masowej

• Wytrzymałość na poziomie 3 tys. cykli programowania/kasowania zapewnia długą żywotność

• Rozszerzony zakres temperatur pracy od -40 do +85°C obsługuje środowiska o wysokiej temperaturze

• Wyposażony we wbudowaną pamięć podręczną DDR3 DRAM dla przyspieszonego dostępu do danych

• Zbudowany w technologii Corner Bond dla lepszej stabilności komponentów

• Obsługuje polecenia NCQ i TRIM w celu optymalizacji wydajności

Zastosowania


• Używany w systemach automatyki wymagających trwałego przechowywania danych

• Idealny do elektroniki, w której niezbędna jest praca w wysokiej temperaturze

• Odpowiedni dla urządzeń mechanicznych wymagających niezawodnej pamięci półprzewodnikowej

• Dla rozwiązań wbudowanych w operacjach o znaczeniu krytycznym

Jakie korzyści zapewnia wbudowana pamięć podręczna DRAM w krytycznych aplikacjach?


Pamięć podręczna DRAM ułatwia szybszy dostęp do danych, umożliwiając szybsze operacje odczytu i zapisu, co ma kluczowe znaczenie dla aplikacji wymagających natychmiastowego przetwarzania danych. Skutkuje to poprawą ogólnej wydajności systemu podczas pracy przy dużym obciążeniu.

W jaki sposób odporność tego dysku SSD na wysokie temperatury wpływa na jego zastosowanie w trudnych warunkach?


Szeroki zakres temperatur pracy zapewnia stałą wydajność i niezawodność, zmniejszając ryzyko utraty danych lub awarii dysku w zmiennych warunkach często spotykanych w warunkach przemysłowych.

Jakie są korzyści z zastosowania technologii 3D TLC NAND w tym dysku SSD?


3D TLC NAND pozwala na gęstsze przechowywanie danych i lepszą wydajność w porównaniu z tradycyjnymi typami NAND, zwiększając zarówno szybkość, jak i wydajność zadań związanych z obsługą danych, co ma kluczowe znaczenie dla wymagających aplikacji.

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.