Dysk SSD MTE670T-I, 1 TB, NVMe PCIe Gen 3 x 4, wewnętrzny Tak, Transcend 3D TLC Nie -40 → +85°C

Zobacz wszystkie Dyski SSD
Obecnie niedostępne
Przepraszamy, nie mamy informacji, czy ten produkt będzie jeszcze dostępny w magazynie. Zostanie on wkrótce usunięty z oferty RS.
Nr art. RS:
262-9696
Nr części producenta:
TS1TMTE670T-I
Producent:
Transcend
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Transcend

Rodzaj dysku twardego

SSD

Model

MTE670T-I

Wewnętrzne/zewnętrzne

Wewnętrzne

Przemysłowy

Tak

Format

M.2 (2280)

Pojemność

1 TB

Interfejs

NVMe PCIe Gen 3 x 4

Typ Nand

3D TLC

Samozniszczenie

Nie

Zakres temperatur

-40 → +85°C

Wymiary

80 x 22 x 2.23mm

Długość

80mm

Szerokość

22mm

Wysokość

2.23mm

Masa

9g

Zwolniony

Dysk półprzewodnikowy Transcend, pojemność 1 TB, interfejs NVMe PCIe Gen 3 x 4 - TS1TMTE670T-I


Ten dysk półprzewodnikowy to wysokowydajny dysk SSD M.2 zaprojektowany z myślą o zapewnieniu wyjątkowej szybkości i niezawodności. Dzięki pojemności 1 TB i kompaktowym wymiarom 80 mm x 22 mm x 2,23 mm, idealnie pasuje do wewnętrznych aplikacji SSD w laptopach i środowiskach przemysłowych. Połączenie zaawansowanej technologii 3D TLC NAND i interfejsu PCIe Gen 3 zapewnia optymalną obsługę danych dla różnych wymagań.

Cechy i zalety


• Wykorzystuje 112-warstwową pamięć 3D NAND w celu zwiększenia wydajności pamięci masowej
• Osiąga prędkość odczytu do 2100 MB/s, zapewniając szybki dostęp do danych
• Obsługuje szeroki zakres temperatur od -40°C do +85°C
• Wytrzymałość na poziomie 3 tys. cykli programowania/kasowania zapewnia długą żywotność
• Wyposażony we wbudowany LDPC ECC do korekcji błędów
• Kompaktowy format M.2 idealny dla urządzeń o ograniczonej przestrzeni

Zastosowania


• Używany w laptopach do szybkiego przesyłania danych podczas pracy
• Idealny do zastosowań przemysłowych wymagających niezawodnego przechowywania w ekstremalnych temperaturach
• Wykorzystywane w systemach automatyki do szybkiego przetwarzania danych
• Odpowiedni dla urządzeń elektronicznych wymagających zwiększonej pojemności
• Stosowane w konstrukcjach mechanicznych, gdzie wydajność i niezawodność mają krytyczne znaczenie

Jaki zakres temperatur można utrzymać dla optymalnego działania?


Dysk półprzewodnikowy zachowuje funkcjonalność w ekstremalnych warunkach, działając wydajnie w temperaturach od -40°C do +85°C, dzięki czemu nadaje się do zastosowań przemysłowych.

W jaki sposób wykorzystanie technologii 3D NAND wpływa na wydajność?


Technologia 3D NAND znacząco zwiększa gęstość pamięci masowej, prowadząc do poprawy szybkości odczytu/zapisu i wydajności w porównaniu z tradycyjnymi konfiguracjami NAND.

Czy ten dysk może obsługiwać aplikacje o wysokiej intensywności?


Tak, z wytrzymałością na poziomie 3 tys. cykli programowania/kasowania, został zaprojektowany do obsługi wymagających obciążeń typowych dla systemów automatyki i elektroniki.

.


Powiązane linki