Semikron Danfoss Moduł IGBT SKM200GB125D Ic 200 A Uce 1200 V 2 SEMITRANS kanał: Typ N 3-pinowy Panel

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtowe

Suma częściowa (1 sztuka)*

1 641,16 zł

(bez VAT)

2 018,63 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Ostatni magazyn RS
  • Dodatkowe 56 szt. dostępne od 28 sierpnia 2026
  • Ostatnie 1 szt. od dnia 04 września 2026

Produkty
Za jednostkę
1 - 11 641,16 zł
2 - 41 559,16 zł
5 - 91 504,89 zł
10 - 191 449,14 zł
20 +1 377,00 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
468-2454
Nr części producenta:
SKM200GB125D
Producent:
Semikron Danfoss
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Semikron Danfoss

Maksymalny ciągły prąd kolektora Ic

200A

Typ produktu

Moduł IGBT

Maksymalne napięcie emitera kolektora Vceo

1200V

Liczba tranzystorów

2

Typ obudowy

SEMITRANS

Typ montażu

Panel

Typ kanału

Typ N

Liczba styków

3

Maksymalne napięcie bramka-emiter VGEO

20 V

Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter VceSAT

3.85V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalna temperatura robocza

150°C

Normy/Zatwierdzenia

No

Szerokość

61.4mm

Wysokość

30.5mm

Seria

SKM200GB125D

Długość

106.4mm

Norma motoryzacyjna

Nie

Dwa moduły IGBT


Seria modułów SEMITOP® IGBT firmy Semikron, zawierająca dwa połączone szeregowo (półmostek) urządzenia IGBT. Moduły są dostępne w szerokim zakresie napięć i prądów znamionowych i są odpowiednie do różnych zastosowań przełączania zasilania, takich jak napędy silników przemienników prądu przemiennego i zasilacze bezprzerwowe.

Kompaktowy zestaw SEMITOP®

Nadaje się do przełączania częstotliwości do 12 kHz

Izolowana miedziana płytka podstawowa oparta na technologii Direct Bond Copper

Moduły IGBT, Semikron


Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.