Infineon FRAM 1 MB 2-przewodowy I2C 8-pinowy SOIC
- Nr art. RS:
- 188-5405
- Nr części producenta:
- FM24V10-G
- Producent:
- Infineon
Suma częściowa (1 tuba po 97 sztuk/i)*
9 474,475 zł
(bez VAT)
11 653,58 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 97 szt. dostępne od 14 września 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tubę* |
|---|---|---|
| 97 + | 97,675 zł | 9 474,48 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 188-5405
- Nr części producenta:
- FM24V10-G
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Typ produktu | FRAM | |
| Rozmiar pamięci | 1MB | |
| Organizacja | 128 K x 8 bitów | |
| Typ złącza | 2-przewodowy I2C | |
| Szerokość magistrali danych | 8bit | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 450ns | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 3.4MHz | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | SOIC | |
| Liczba styków | 8 | |
| Wysokość | 1.38mm | |
| Szerokość | 3.98mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Długość | 4.97mm | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Minimalne napięcie zasilania | 2V | |
| Liczba słów | 128k | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q100 | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3.6V | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Typ produktu FRAM | ||
Rozmiar pamięci 1MB | ||
Organizacja 128 K x 8 bitów | ||
Typ złącza 2-przewodowy I2C | ||
Szerokość magistrali danych 8bit | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 450ns | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 3.4MHz | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy SOIC | ||
Liczba styków 8 | ||
Wysokość 1.38mm | ||
Szerokość 3.98mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Długość 4.97mm | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Minimalne napięcie zasilania 2V | ||
Liczba słów 128k | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q100 | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3.6V | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
- Kraj pochodzenia:
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.
Nieulotna pamięć RAM
Duża szybkość zapisu
Wysoka wytrzymałość
Niski pobór mocy
Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)
Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.
Powiązane linki
- Infineon FRAM 1 MB FM24V10-G 2-przewodowy I2C 8-pinowy SOIC
- Infineon FRAM 16 MB Szeregowa-I2C 8-pinowy SOIC
- Infineon FRAM 16 MB FM24V10-GTR Szeregowa-I2C 8-pinowy SOIC
- Infineon FRAM 1 MB Szeregowa-I2C 8-pinowy SOIC-8
- Infineon FRAM 64 kB 2-przewodowy I2C 8-pinowy SOIC
- Infineon FRAM 16 kB 2-przewodowy I2C 8-pinowy SOIC
- Infineon FRAM 256 kB 2-przewodowy I2C 8-pinowy SOIC
- Infineon FRAM 1 MB FM24VN10-G Szeregowa-I2C 8-pinowy SOIC-8