Półprzewodniki
KATEGORIE
(13)
Czujniki odległości
(146)
Układy czujnika ruchu
(50)
Diody PIN
(58)
Diody przełączające
(79)
Diody TVS
(20)
Prostowniki mostkowe
(234)
Tranzystory bipolarne
(937)
Tranzystory IGBT
(4302)
Tranzystory MOSFET
(157)
Tyrystory
(547)
Mikrokontrolery
(26)
System-On-Chip
(194)
Układy interfejsu USB
(4)
Boost Converter
(61)
Kontrolery napięcia
(48)
Konwertery AC-DC
(28)
Konwertery DC-DC
(2)
Przetwornice
(15)
PWM
(303)
Regulatory napięcia
(748)
Sterowniki bramki
(174)
Sterowniki silnikowe
Cena (netto / bez podatku VAT) | Opis | Informacje o produkcie |
Układ przełącznika zasilania 7.5A DSO SMD Wysoka prędkość 16 V
|
||
MOSFET N-kanałowy 202 A TO-220AB 40 V Pojedynczy 333 W 4 mΩ
|
||
|
Układ przełącznika zasilania 7.5A DSO SMD Wysoka prędkość 16 V
|
|
|
Kontroler USB USB 2.0, USB 3.0 Montaż powierzchniowy 1.5Mbps QFN
|
|
Moduł IGBT Ic 54 A Uce 1200 V AG-EASY2B-1 3-fazy kanał: N 215 W
|
||
IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy 428 W
|
||
MOSFET N-kanałowy 17 A TO-220 800 V Pojedynczy 227 W 290 miliomów
|
||
|
MOSFET N-kanałowy 17 A TO-220 800 V Pojedynczy 227 W 290 miliomów
|
|
MOSFET N-kanałowy 20,7 A TO-247 650 V Pojedynczy 208 W 190 mΩ
|
||
Pamięć FRAM 1Mbit FM25VN10-G SPI 8-pinowy SOIC
|
||
MOSFET N-kanałowy 171 A TO-220AB 30 V 125 W 3.2 mΩ
|
||
Moduł IGBT Ic 105 A Uce 1200 V AG-ECONO3-3 3-fazy kanał: N 355 W
|
||
|
Pamięć FRAM 256kbit FM25W256-G SPI 8-pinowy SOIC
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 1.8 A SOT-223 60 V SMD Pojedynczy 1.8 W 300 miliomów
|
|
|
Pamięć FRAM 1Mbit FM25VN10-G SPI 8-pinowy SOIC
|
|
Pamięć FRAM 256kbit FM25W256-G SPI 8-pinowy SOIC
|
||
MOSFET N-kanałowy 1,8 A SOT-223 60 V SMD Pojedynczy 1,8 W 300 miliomów
|
||
|
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-247 650 V Pojedynczy 208 W 190 miliomów
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 49 A TDSON 40 V SMD Pojedynczy 2.5 W 13,7 milioma
|
|
|
Układ przełącznika zasilania DSO SMD
|
Ostatnio wyszukiwane