Infineon

Elementy dyskretne

KATEGORIE

Wyświetlono 61 - 80 z 6251 produktów
Porównaj wybrane produkty 0/8
Wyświetl jako:
Cena
(netto / bez podatku VAT)
Opis
Informacje o produkcie
Moduł tyrystorowy 471A 1600V Infineon PCT 14500A Moduł 60 mm
  • 869,07 złza szt.
Moduł tyrystorowy 471A 1600V Infineon PCT 14500A Moduł 60 mm
  • Średni prąd znamionowy w stanie włączenia471A
  • Typ tyrystoraPCT
  • Typ opakowaniaModuł 60 mm
  • Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne1600V
  • Znamionowy prąd udarowy14500A
Podobne produkty w kategorii Tyrystory
Moduł IGBT Ic 54 A Uce 1200 V AG-EASY2B-1 3-fazy kanał: N 215 W
  • 241,84 zł
    szt. (na tacce 15)
Moduł IGBT Ic 54 A Uce 1200 V AG-EASY2B-1 3-fazy kanał: N 215 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora54 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy215 W
  • KonfiguracjaMostek 3 fazowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-247 650 V Pojedynczy 208 W 190 miliomów
  • 26,82 złza szt.
  • Produkt dostępny także w standardowym opakowaniu przemysłowym
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-247 650 V Pojedynczy 208 W 190 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu21 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło650 V
  • SeriaCoolMOS™ C3
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
MOSFET N-kanałowy 17 A TO-220 800 V Pojedynczy 227 W 290 miliomów
  • 18,72 złza szt.
  • Produkt dostępny także w standardowym opakowaniu przemysłowym
MOSFET N-kanałowy 17 A TO-220 800 V Pojedynczy 227 W 290 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu17 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło800 V
  • Typ opakowaniaTO-220
  • SeriaCoolMOS™ C3
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
MOSFET N-kanałowy 1,8 A SOT-223 60 V SMD Pojedynczy 1,8 W 300 miliomów
  • 1,51 zł
    za szt. (1000 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 1,8 A SOT-223 60 V SMD Pojedynczy 1,8 W 300 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu1,8 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło60 V
  • Typ opakowaniaSOT-223
  • SeriaSIPMOS®
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
Moduł IGBT Ic 105 A Uce 1200 V AG-ECONO3-3 3-fazy kanał: N 355 W
  • 674,69 zł
    szt. (na tacce 10)
Moduł IGBT Ic 105 A Uce 1200 V AG-ECONO3-3 3-fazy kanał: N 355 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora105 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy355 W
  • KonfiguracjaMostek 3 fazowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
MOSFET N-kanałowy 20,7 A TO-247 650 V Pojedynczy 208 W 190 mΩ
  • 21,35 zł
    za szt. (w tubie á 30)
MOSFET N-kanałowy 20,7 A TO-247 650 V Pojedynczy 208 W 190 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu20,7 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło650 V
  • Typ opakowaniaTO-247
  • SeriaCoolMOS™ C3
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
MOSFET N-kanałowy 171 A TO-220AB 30 V 125 W 3,2 milioma
  • 3,36 zł
    za szt. (w tubie á 50)
MOSFET N-kanałowy 171 A TO-220AB 30 V 125 W 3,2 milioma
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu171 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • Typ opakowaniaTO-220AB
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
MOSFET N-kanałowy 171 A TO-220AB 30 V 125 W 3.2 mΩ
  • 3,36 zł
    za szt. (opak. á 10)
MOSFET N-kanałowy 171 A TO-220AB 30 V 125 W 3.2 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu171 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaTO-220AB
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
MOSFET N-kanałowy 49 A TDSON 40 V SMD Pojedynczy 2.5 W 13,7 milioma
  • 1,22 zł
    za szt. (opak. á 5)
  • Produkt dostępny także w standardowym opakowaniu przemysłowym
MOSFET N-kanałowy 49 A TDSON 40 V SMD Pojedynczy 2.5 W 13,7 milioma
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu49 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło40 V
  • SeriaOptiMOS™ 3
  • Typ opakowaniaTDSON
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
MOSFET N-kanałowy 17 A TO-220 800 V Pojedynczy 227 W 290 miliomów
  • 12,24 zł
    za szt. (w tubie á 50)
MOSFET N-kanałowy 17 A TO-220 800 V Pojedynczy 227 W 290 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu17 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło800 V
  • SeriaCoolMOS™ C3
  • Typ opakowaniaTO-220
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
MOSFET N-kanałowy 1.8 A SOT-223 60 V SMD Pojedynczy 1.8 W 300 miliomów
  • 3,89 zł
    za szt. (opak. á 5)
  • Produkt dostępny także w standardowym opakowaniu przemysłowym
MOSFET N-kanałowy 1.8 A SOT-223 60 V SMD Pojedynczy 1.8 W 300 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu1.8 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło60 V
  • Typ opakowaniaSOT-223
  • SeriaSIPMOS®
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
MOSFET N-kanałowy 49 A TDSON 40 V SMD Pojedynczy 2,5 W 13,7 milioma
  • 1,33 zł
    za szt. (5000 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 49 A TDSON 40 V SMD Pojedynczy 2,5 W 13,7 milioma
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu49 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło40 V
  • Typ opakowaniaTDSON
  • SeriaOptiMOS™ 3
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
Moduł IGBT Ic 105 A Uce 1200 V AG-ECONO3-3 3-fazy kanał: N 355 W
  • 702,68 złza szt.
Moduł IGBT Ic 105 A Uce 1200 V AG-ECONO3-3 3-fazy kanał: N 355 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora105 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy355 W
  • KonfiguracjaMostek 3 fazowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
MOSFET N-kanałowy 300 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 500 mW 4 omy
  • 0,11 zł
    za szt. (opak. á 100)
  • Produkt dostępny także w standardowym opakowaniu przemysłowym
MOSFET N-kanałowy 300 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 500 mW 4 omy
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu300 mA
  • Maksymalne napięcie dren-źródło60 V
  • Typ opakowaniaSOT-23
  • SeriaOptiMOS™
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-23 50 V Montaż powierzchniowy 500 mA BCR512E6327HTSA1
  • 1,14 zł
    za szt. (opak. á 50)
  • Produkt dostępny także w standardowym opakowaniu przemysłowym
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-23 50 V Montaż powierzchniowy 500 mA BCR512E6327HTSA1
  • Typ tranzystoraNPN
  • Maksymalny prąd DC kolektora500 mA
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter50 V
  • Typ opakowaniaSOT-23
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory bipolarne
MOSFET P-kanałowy 1,9 A SOT-223 60 V SMD Pojedynczy 1,8 W 300 miliomów
  • 2,78 zł
    za szt. (opak. á 50)
  • Produkt dostępny także w standardowym opakowaniu przemysłowym
MOSFET P-kanałowy 1,9 A SOT-223 60 V SMD Pojedynczy 1,8 W 300 miliomów
  • Typ kanałuP
  • Maksymalny ciągły prąd drenu1,9 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło60 V
  • Typ opakowaniaSOT-223
  • SeriaSIPMOS®
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
IGBT Ic 8,5 A Uce 600 V TO-220AB Pojedynczy kanał: N 38 W
  • 5,39 zł
    za szt. (w tubie á 50)
IGBT Ic 8,5 A Uce 600 V TO-220AB Pojedynczy kanał: N 38 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora8,5 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy38 W
  • Typ opakowaniaTO-220AB
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
MOSFET N-kanałowy 104 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 200 W 8 mΩ
  • 7,52 zł
    za szt. (w tubie á 50)
MOSFET N-kanałowy 104 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 200 W 8 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu104 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło55 V
  • SeriaLogicFET
  • Typ opakowaniaTO-220AB
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
MOSFET N-kanałowy 47 A TO-247 650 V Pojedynczy 415 W 70 mΩ
  • 51,73 zł
    za szt. (w tubie á 30)
MOSFET N-kanałowy 47 A TO-247 650 V Pojedynczy 415 W 70 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu47 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło650 V
  • Typ opakowaniaTO-247
  • SeriaCoolMOS™ C3
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
Ostatnio wyszukiwane
FAQ
W czym możemy pomóc?
Kontakt z Działem Obsługi Klienta:
22 223 11 11
Usługi
O firmie RS
Polecane strony
Kontakt
22 22 3 11 11
© RS Components Sp. z o.o.
ul. Domaniewska 48, 02-672 Warszawa Polska
Payment options