Infineon

Półprzewodniki

KATEGORIE

Wyświetlono 261 - 280 z 10077 produktów
Porównaj wybrane produkty 0/8
Wyświetl jako:
Cena
(netto / bez podatku VAT)
Opis
Informacje o produkcie
  • 4,18 zł
    za szt. (opak. á 10)
MOSFET P-kanałowy 3,4 A SOIC 55 V SMD Izolacja 2 W 170 mΩ
  • Typ kanałuP
  • Maksymalny ciągły prąd drenu3,4 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło55 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaSOIC
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 1,34 zł
    za szt. (opak. á 25)
MOSFET N-kanałowy 230 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 360 mW 8 omów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu230 mA
  • Maksymalne napięcie dren-źródło60 V
  • SeriaSIPMOS®
  • Typ opakowaniaSOT-23
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 3,77 zł
    za szt. (4000 na rolce)
Układ przełącznika zasilania 0.7A SOT-223 SMD Przełącznik high side 48 V Strona wysoka
  • Topologia przełącznika zasilaniaStrona wysoka
  • Typ wyłącznika zasilaniaPrzełącznik high side
  • Rezystancja przełączania320mΩ
  • Maksymalne robocze napięcie zasilania48 V
  • Maksymalny prąd roboczy0.7A
Podobne produkty w kategorii Układy scalone wyłączników zasilania
  • 1,30 zł
    za szt. (2500 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 4,4 A SOT-223 55 V SMD Pojedynczy 2,1 W 100 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu4,4 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło55 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaSOT-223
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 0,66 zł
    za szt. (3000 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 600 mA TSOP-6 200 V SMD Pojedynczy 2 W 2.2 Ω
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu600 mA
  • Maksymalne napięcie dren-źródło200 V
  • Typ opakowaniaTSOP-6
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 861,53 złza szt.
Moduł IGBT Ic 200 A Uce 1200 V AG-ECONO3-4 3-fazy kanał: N 700 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora200 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy700 W
  • KonfiguracjaMostek 3 fazowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 5,59 zł
    za szt. (w tubie á 50)
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-220AB 150 V Pojedynczy 144 W 39 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu35 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło150 V
  • Typ opakowaniaTO-220AB
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 563,29 zł
    za szt. (w opak. á 10)
Moduł IGBT Ic 295 A Uce 1200 V Moduł 62 mm Szereg kanał: N 1050 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora295 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy1050 W
  • KonfiguracjaSeria
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 0,05 zł
    za szt. (opak. á 100)
Dioda SOT-323 (SC-70) 200mA Montaż powierzchniowy 85VPołączenie silikonowe Połączenie silikonowe Wspólna katoda
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
  • Typ opakowaniaSOT-323 (SC-70)
  • Maksymalny ciągły prąd przewodzenia200mA
  • Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne85V
  • Konfiguracja diodyWspólna katoda
Podobne produkty w kategorii Diody Schottky'ego i prostownicze
  • 717,39 złza szt.
Moduł IGBT Ic 520 A Uce 1200 V AG-62MM-1 Szereg kanał: N 2,4 kW
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora520 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy2,4 kW
  • KonfiguracjaSeria
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 2,75 zł
    za szt. (2500 na rolce)
Układ przełącznika zasilania 0.4A DSO SMD Przełącznik strony wysokiej 34 V Strona wysoka
  • Typ wyłącznika zasilaniaPrzełącznik strony wysokiej
  • Topologia przełącznika zasilaniaStrona wysoka
  • Rezystancja przełączania600mΩ
  • Maksymalne robocze napięcie zasilania34 V
  • Liczba wyjść1
Podobne produkty w kategorii Układy scalone wyłączników zasilania
  • 7,89 zł
    za szt. (1000 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 25 A D2PAK (TO-263) 250 V SMD Pojedynczy 136 W 60 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu25 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło250 V
  • Typ opakowaniaD2PAK (TO-263)
  • SeriaOptiMOS™ 3
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 17,23 zł
    za szt. (w tubie á 30)
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 326 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora50 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy326 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 0,50 zł
    za szt. (3000 na rolce)
Dioda SOT-143 20mA Montaż powierzchniowy 40VDetektor RF Schottky'ego Izolacja Detektor RF BAT62E6327HTSA1
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
  • Typ opakowaniaSOT-143
  • Maksymalny ciągły prąd przewodzenia20mA
  • Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne40V
  • Konfiguracja diodyIzolacja
Podobne produkty w kategorii Diody Schottky'ego i prostownicze
  • 5,56 zł
    za szt. (opak. á 2)
MOSFET N-kanałowy 36 A TO-220AB 100 V Pojedynczy 92 W 26,5 milioma
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu36 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło100 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaTO-220AB
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 46,26 złza szt.
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-247 650 V Pojedynczy 313 W 100 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu34 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło650 V
  • Typ opakowaniaTO-247
  • SeriaCoolMOS™ C3
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 1,74 zł
    za szt. (4000 na rolce)
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5,3 A; 7,3 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2,5 W 46 mΩ, 98 mΩ
  • Typ kanałuN, P
  • Maksymalny ciągły prąd drenu5,3 A; 7,3 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaSOIC
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 0,44 zł
    za szt. (3000 na rolce)
MOSFET P-kanałowy 3,6 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1,3 W 64 mΩ
  • Typ kanałuP
  • Maksymalny ciągły prąd drenu3,6 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • Typ opakowaniaSOT-23
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 5,90 zł
    za szt. (opak. á 25)
Układ przełącznika zasilania 0.4A DSO SMD Przełącznik high side 34 V Strona wysoka
  • Typ wyłącznika zasilaniaPrzełącznik high side
  • Topologia przełącznika zasilaniaStrona wysoka
  • Rezystancja przełączania600mΩ
  • Maksymalne robocze napięcie zasilania34 V
  • Maksymalny prąd roboczy0.4A
Podobne produkty w kategorii Układy scalone wyłączników zasilania
  • 2,32 zł
    za szt. (1000 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 120 mA SOT-223 600 V SMD Pojedynczy 1,8 W 45 omów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu120 mA
  • Maksymalne napięcie dren-źródło600 V
  • Typ opakowaniaSOT-223
  • SeriaSIPMOS®
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
Ostatnio wyszukiwane
FAQ
W czym możemy pomóc?
Kontakt z Działem Obsługi Klienta:
22 223 11 11