Infineon

Półprzewodniki

KATEGORIE

Wyświetlono 161 - 180 z 10077 produktów
Porównaj wybrane produkty 0/8
Wyświetl jako:
Cena
(netto / bez podatku VAT)
Opis
Informacje o produkcie
  • 8,93 zł
    za szt. (w tubie á 25)
MOSFET N-kanałowy 110 A TO-247AC 55 V Pojedynczy 200 W 8 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu110 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło55 V
  • Typ opakowaniaTO-247AC
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 1,48 zł
    za szt. (1000 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 1,7 A SOT-223 100 V SMD Pojedynczy 1,8 W 300 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu1,7 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło100 V
  • SeriaSIPMOS®
  • Typ opakowaniaSOT-223
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 0,38 zł
    za szt. (3000 na rolce)
MOSFET P-kanałowy 330 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 360 mW 3 omy
  • Typ kanałuP
  • Maksymalny ciągły prąd drenu330 mA
  • Maksymalne napięcie dren-źródło60 V
  • Typ opakowaniaSOT-23
  • SeriaSIPMOS®
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 28,34 zł
    za szt. (w tubie á 30)
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-247 650 V Pojedynczy 255 W 99 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu31 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło650 V
  • Typ opakowaniaTO-247
  • SeriaCoolMOS CP
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 6,53 złza szt.
MOSFET N-kanałowy 57 A TO-220AB 100 V Pojedynczy 200 W 23 miliomy
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu57 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło100 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaTO-220AB
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 18,24 zł
    za szt. (2000 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 300 A HSOF-8 60 V SMD Pojedynczy 375 W 1 miliom
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu300 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło60 V
  • Typ opakowaniaHSOF-8
  • SeriaOptiMOS™ 5
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 18,90 zł
    za szt. (opak. á 2)
Pamięć FRAM 64kbit FM25CL64B-G SPI 8-pinowy SOIC
  • Rozmiar pamięci64kbit
  • Organizacja8 K x 8 bitów
  • Typ złączaSPI
  • Szerokość magistrali danych8bit
  • Maksymalny czas dostępu swobodnego20ns
Podobne produkty w kategorii Pamięć FRAM
  • 1,67 zł
    za szt. (opak. á 5)
MOSFET P-kanałowy 4,3 A SOT-23 12 V SMD Pojedynczy 1,3 W 50 miliomów
  • Typ kanałuP
  • Maksymalny ciągły prąd drenu4,3 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło12 V
  • Typ opakowaniaSOT-23
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 64,26 złza szt.
Pamięć FRAM 512kbit FM25V05-G SPI 8-pinowy SOIC
  • Rozmiar pamięci512kbit
  • Organizacja64 K x 8 bitów
  • Typ złączaSPI
  • Szerokość magistrali danych8bit
  • Maksymalny czas dostępu swobodnego18ns
Podobne produkty w kategorii Pamięć FRAM
  • 12,42 złza szt.
MOSFET N-kanałowy 65 A TO-220AB 200 V Pojedynczy 330 W 24 miliomy
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu65 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło200 V
  • Typ opakowaniaTO-220AB
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 787,95 złza szt.
Moduł tyrystorowy 330A 1600V Infineon PCT 9100A Moduł 50mm
  • Średni prąd znamionowy w stanie włączenia330A
  • Typ tyrystoraPCT
  • Typ opakowaniaModuł 50mm
  • Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne1600V
  • Znamionowy prąd udarowy9100A
Podobne produkty w kategorii Tyrystory
  • 10,93 zł
    za szt. (opak. á 2)
MOSFET N-kanałowy 300 A HSOF-8 60 V SMD Pojedynczy 375 W 1 miliom
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu300 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło60 V
  • SeriaOptiMOS™ 5
  • Typ opakowaniaHSOF-8
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 8,37 zł
    za szt. (opak. á 5)
Kontroler HUB USB USB 2.0 3-kanałowy Montaż powierzchniowy QFN
  • Liczba nadajników-odbiorników3
  • Obsługiwane protokołyUSB 2.0
  • InterfejsSterownik IC
  • Typ zasilaniaPojedyncze
  • Zabezpieczenie antystatyczneTak
Podobne produkty w kategorii Układy interfejsu USB
  • 24,02 złza szt.
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 483 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora80 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy483 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 491,58 złza szt.
Dioda 89A Montaż na panelu 1600V Połączenie silikonowe Szereg DD89N16KHPSA1
  • Typ montażuMontaż na panelu
  • Maksymalny ciągły prąd przewodzenia89A
  • Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne1600V
  • Konfiguracja diodySzereg
  • Typ prostownikaOgólnego zastosowania
Podobne produkty w kategorii Diody Schottky'ego i prostownicze
  • 0,89 zł
    za szt. (opak. á 20)
MOSFET N-kanałowy 5.3 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1.3 W 27 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu5.3 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaSOT-23
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 16,35 złza szt.
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-247 650 V Pojedynczy 255 W 99 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu31 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło650 V
  • Typ opakowaniaTO-247
  • SeriaCoolMOS CP
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 3,92 złza szt.
MOSFET N-kanałowy 18 A TO-220AB 200 V Pojedynczy 150 W 150 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu18 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło200 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaTO-220AB
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 3,27 zł
    za szt. (w tubie á 50)
MOSFET N-kanałowy 18 A TO-220AB 200 V Pojedynczy 150 W 150 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu18 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło200 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaTO-220AB
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 9,14 zł
    za szt. (opak. á 10)
Dioda przełączająca TO-220, THT 1 Pojedyncza
  • Konfiguracja diodyPojedyncza
  • Liczba elementów na układ1
  • Typ montażuOtwór przezierny
  • Typ opakowaniaTO-220
  • Technologia diodowaPołączenie silikonowe
Podobne produkty w kategorii Diody przełączające
Ostatnio wyszukiwane
FAQ
W czym możemy pomóc?
Kontakt z Działem Obsługi Klienta:
22 223 11 11