Infineon

Półprzewodniki

KATEGORIE

Wyświetlono 241 - 260 z 10077 produktów
Porównaj wybrane produkty 0/8
Wyświetl jako:
Cena
(netto / bez podatku VAT)
Opis
Informacje o produkcie
  • 6,26 zł
    za szt. (opak. á 2)
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-220AB 150 V Pojedynczy 144 W 39 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu35 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło150 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaTO-220AB
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 0,45 zł
    za szt. (opak. á 25)
MOSFET N-kanałowy 21 mA SOT-23 600 V SMD Pojedynczy 500 mW 700 omów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu21 mA
  • Maksymalne napięcie dren-źródło600 V
  • Typ opakowaniaSOT-23
  • SeriaSIPMOS®
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 15,09 zł
    za szt. (800 na rolce)
Układ sterowników silnikowych Infineon 11kHz Bezszczotkowe DC
  • Rodzaj silnikaBezszczotkowe DC
  • Konfiguracja wyjściaPełny mostek
  • Maksymalny prąd kolektora IGBT8.6A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter28 V
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
Podobne produkty w kategorii Sterowniki silnikowe
  • 21,78 złza szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 326 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora50 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy326 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 2,68 zł
    za szt. (1000 na rolce)
Układ przełącznika zasilania 0.35A SOT-223 SMD Przełącznik low side 42 V Low Side
  • Typ wyłącznika zasilaniaPrzełącznik low side
  • Topologia przełącznika zasilaniaLow Side
  • Rezystancja przełączania700mΩ
  • Maksymalne robocze napięcie zasilania42 V
  • Liczba wyjść1
Podobne produkty w kategorii Układy scalone wyłączników zasilania
  • 11,12 zł
    za szt. (opak. á 5)
MOSFET P-kanałowy 38 A I2PAK (TO-262) 100 V Pojedynczy 3.1 W 60 miliomów
  • Typ kanałuP
  • Maksymalny ciągły prąd drenu38 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło100 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaI2PAK (TO-262)
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 21,83 złza szt.
MOSFET N-kanałowy 17 A TO-247 800 V Pojedynczy 227 W 290 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu17 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło800 V
  • SeriaCoolMOS™ C3
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 79,81 zł
    szt. (na tacce 144)
Kontroler USB USB 1.1, USB 2.0 Montaż powierzchniowy 480Mbps TQFP
  • Liczba nadajników-odbiorników1
  • Szybkość transmisji danych480Mbps
  • Obsługiwane protokołyUSB 1.1, USB 2.0
  • InterfejsSterownik IC
  • Typ zasilaniaPojedyncze
Podobne produkty w kategorii Układy interfejsu USB
  • 1,28 zł
    za szt. (4000 na rolce)
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 2,3 A; 3,5 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 150 mΩ, 400 mΩ
  • Typ kanałuN, P
  • Maksymalny ciągły prąd drenu2,3 A; 3,5 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaSOIC
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 2,34 zł
    za szt. (4000 na rolce)
Układ przełącznika zasilania SOT-223 SMD NMOS 60 V Strona wysoka
  • Topologia przełącznika zasilaniaStrona wysoka
  • Typ wyłącznika zasilaniaNMOS
  • Rezystancja przełączania
  • Maksymalne robocze napięcie zasilania60 V
  • Liczba wyjść1
Podobne produkty w kategorii Układy scalone wyłączników zasilania
  • 1,68 zł
    za szt. (opak. á 10)
MOSFET N-kanałowy 600 mA TSOP-6 200 V SMD Pojedynczy 2 W 2,2 oma
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu600 mA
  • Maksymalne napięcie dren-źródło200 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaTSOP-6
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 0,27 zł
    za szt. (opak. á 20)
MOSFET P-kanałowy 3.6 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1.3 W 64 miliomy
  • Typ kanałuP
  • Maksymalny ciągły prąd drenu3.6 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • Typ opakowaniaSOT-23
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 0,28 zł
    za szt. (opak. á 20)
MOSFET N-kanałowy 1.2 A SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 1.25 W 480 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu1.2 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło60 V
  • Typ opakowaniaSOT-23
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 11,69 zł
    za szt. (w tubie á 30)
Dioda TO-247 100A Otwór przezierny 600V Połączenie silikonowe Pojedyncza przełączająca IDW100E60FKSA1
  • Typ montażuOtwór przezierny
  • Typ opakowaniaTO-247
  • Maksymalny ciągły prąd przewodzenia100A
  • Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne600V
  • Konfiguracja diodyPojedyncza
Podobne produkty w kategorii Diody Schottky'ego i prostownicze
  • 0,90 zł
    za szt. (opak. á 20)
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 2,3 A; 3,5 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 150 mΩ, 400 mΩ
  • Typ kanałuN, P
  • Maksymalny ciągły prąd drenu2,3 A; 3,5 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • Typ opakowaniaSOIC
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 4,01 zł
    za szt. (w tubie á 50)
MOSFET N-kanałowy 110 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD Pojedynczy 170 W 6.5 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu110 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło55 V
  • Typ opakowaniaD2PAK (TO-263)
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 5,72 zł
    za szt. (5000 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 100 A TDSON 60 V SMD Pojedynczy 139 W 2,4 milioma
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu100 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło60 V
  • Typ opakowaniaTDSON
  • SeriaOptiMOS™ 5
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 0,41 zł
    za szt. (3000 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 1,2 A SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 1,25 W 480 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu1,2 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło60 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaSOT-23
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 31,12 zł
    za szt. (w tubie á 30)
IGBT Ic 100 A Uce 600 V TO-247 333 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora100 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy333 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 9,50 złza szt.
MOSFET N-kanałowy 169 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 330 W 5 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu169 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło55 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaTO-220AB
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
Ostatnio wyszukiwane
FAQ
W czym możemy pomóc?
Kontakt z Działem Obsługi Klienta:
22 223 11 11